5H11G, MJD45H11G, 45H11G Transistor PNP 8A-80V DIP TO-251

Mô tả MJD45H11G

• Chỉ định loại: MJD45H11G
• Mã bóng bán dẫn SMD: J45H11G
• Chất liệu Transistor: Si
• Phân cực: PNP
• Tản điện tối đa của bộ thu (Pc): 20 W
• Điện áp cơ sở Collector tối đa |Vcb|: 80 V
• Điện áp cực thu-phát tối đa |Vce|: 80 V
• Điện áp cơ sở bộ phát tối đa |Veb|: 5 V
• Dòng thu tối đa |Ic max|: 8 A
• Tối đa. Nhiệt độ điểm nối hoạt động (Tj): 150 ° C
• Tần số chuyển tiếp (ft): 90 MHz
• Điện dung thu (Cc): 130 pF
• Tỷ lệ chuyển tiếp hiện tại (hFE), MIN: 40
• Hệ số tiếng ồn, dB: –

Xem thêm: Các sản phẩm Transistor khác

Hình ảnh thực tế của MJD45H11G

Sơ đồ chân MJD45H11G

Thông số kỹ thuật của Transistor MJD45H11G

Kích thước của Transistor MJD45H11G

Datasheet MJD45H11G