MMF60R190QS 60R190QS Mosfet kênh N 20A 650V TO-220F (tháo máy)

Giới thiệu về MMF60R190QS

MMF60R190QS là transistor MOSFET kênh N hiệu suất cao, được thiết kế cho các ứng dụng công suất lớn như bộ nguồn chuyển mạch, mạch điều khiển động cơ và các hệ thống điện tử công nghiệp. Linh kiện này có khả năng chịu điện áp cao, dòng tải lớn và đóng cắt nhanh, phù hợp cho các thiết kế yêu cầu độ tin cậy và hiệu quả năng lượng cao.

Thông số kỹ thuật của MMF60R190QS

• Điện áp chịu được (Vds): 600V

• Dòng điện tối đa (Id): 20A tại Tc = 25°C

• Rds(on): 0.19Ω tại Vgs = 10V, Id = 10A

• Tổng điện tích cổng (Qg): 36nC

• Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): 4V tại Id = 250µA

• Điện áp cổng tối đa (Vgs): ±30V

• Công suất tiêu tán tối đa: 33W tại Tc = 25°C

• Nhiệt độ hoạt động tối đa: 150°C

• Gói: TO-220F

Ứng dụng của MMF60R190QS

• Bộ chuyển đổi nguồn DC-DC

• Nguồn điện công nghiệp

• Mạch điều khiển động cơ

• Nguồn cho thiết bị điện tử công suất lớn

• Ứng dụng trong xe điện, UPS và bộ nghịch lưu

Sơ đồ chân của MMF60R190QS

Kích thước của MMF60R190QS

Xem thêm các MOSFET khác tại đây

Datasheet của MMF60R190QS