7MBR150XNE120-50 7MBR150VN120-50 IGBT 150A 1200V (tháo máy)

Giới thiệu 7MBR150VN120-50

7MBR150VN120-50 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) được sản xuất bởi Fuji Electric, được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao như biến tần, điều khiển động cơ và năng lượng tái tạo. Đây là một thiết bị tích hợp với khả năng xử lý dòng điện lớn, chịu áp cao, đồng thời có độ tin cậy cao.

Đặc trưng 7MBR150VN120-50

1. Hiệu suất cao:
   • Thiết kế IGBT tiên tiến với diode hồi tiếp tích hợp giúp giảm tổn hao chuyển mạch và tổn hao khi dẫn.
   • Tối ưu hóa cho các ứng dụng công suất lớn với điện áp cao.
2. Độ bền và tin cậy:
   • Khả năng hoạt động ổn định trong điều kiện môi trường khắc nghiệt và nhiệt độ cao.
   • Điện áp cách điện cao đảm bảo an toàn khi vận hành.
3. Thiết kế gọn nhẹ:
   • Khung gốm cách điện (Isolated baseplate) hỗ trợ tản nhiệt hiệu quả và đảm bảo cách điện tốt.
   • Dễ dàng tích hợp vào các hệ thống công nghiệp lớn.

Bảng thông số 7MBR150VN120-50

Sơ đồ tương đương 7MBR150VN120-50

Ứng dụng 7MBR150VN120-50

• Biến tần công nghiệp:
  • Được sử dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ, biến tần năng lượng mặt trời, và biến tần năng lượng gió.
• Nguồn cung cấp điện:
  • Ứng dụng trong các bộ chuyển đổi AC-DC và DC-AC công suất cao.
• Hệ thống UPS (Uninterruptible Power Supply):
  • Đảm bảo nguồn điện liên tục cho các hệ thống quan trọng như máy chủ, trung tâm dữ liệu và thiết bị y tế.
• Điều khiển động cơ:
  • Sử dụng cho động cơ công suất lớn trong các dây chuyền sản xuất và thiết bị công nghiệp.
• Năng lượng tái tạo:
  • Phù hợp cho các hệ thống năng lượng mặt trời, năng lượng gió, và lưu trữ năng lượng.

Kích thước 7MBR150VN120-50

Xem thêm những sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet 7MBR150VN120-50

Video hướng dẫn đo