8226 TPS28226DR IC điều khiển Mosfet VSON-8

Giới thiệu chung

TPS28226DR (mã rút gọn 8226) là IC dual MOSFET gate driver do Texas Instruments sản xuất, được thiết kế để điều khiển hai kênh MOSFET hoặc IGBT độc lập với khả năng cấp/xả dòng mạnh, giúp MOSFET đóng cắt nhanh và ổn định. IC hoạt động với dải điện áp rộng, tích hợp bảo vệ logic đầu vào, phù hợp cho các mạch nguồn xung và điều khiển công suất.

TPS28226DR có dòng drive lên đến ±2A, cho phép giảm tổn hao chuyển mạch, cải thiện hiệu suất hệ thống. Ngõ vào tương thích mức logic TTL/CMOS, dễ dàng kết nối với vi điều khiển, DSP hoặc IC PWM. Hai kênh đầu ra độc lập giúp linh hoạt trong thiết kế mạch điều khiển.

Đặc điểm

• IC driver điều khiển MOSFET/IGBT 2 kênh độc lập

• Dòng kích gate mạnh ±2A, giúp MOSFET đóng cắt nhanh

• Ngõ vào tương thích mức logic TTL/CMOS

• Thời gian trễ lan truyền thấp, đảm bảo chuyển mạch chính xác

• Khả năng cấp và xả dòng đối xứng, giảm tổn hao switching

• Điện trở đầu ra thấp, nâng cao hiệu suất mạch công suất

• Hoạt động ổn định với tần số chuyển mạch cao

• Thiết kế chống nhiễu tốt, tăng độ tin cậy hệ thống

• Đóng gói VSON-8 nhỏ gọn, phù hợp PCB mật độ cao

Thông số kỹ thuật

• Điện áp nguồn hoạt động (VDD): 4.5V – 18V

• Dòng điều khiển gate cực đại: ±2A

• Số kênh điều khiển: 2 kênh độc lập

• Điện áp ngõ vào logic: tương thích TTL/CMOS

• Thời gian trễ lan truyền: thấp, phù hợp mạch tần số cao

• Nhiệt độ hoạt động: –40°C đến +125°C

• Kiểu đóng gói: VSON-8

• Chuẩn linh kiện: Driver MOSFET / IGBT

Sơ đồ chân

Sơ đồ khối 

Ứng dụng

• Mạch nguồn xung SMPS

• Bộ DC–DC converter

• Mạch điều khiển MOSFET công suất

• Driver IGBT cho mạch công nghiệp

• Mạch PWM điều khiển động cơ

• Bộ nghịch lưu, inverter công suất nhỏ

• Mạch điều khiển nguồn cho thiết bị điện tử công suất

• Ứng dụng công nghiệp và tự động hóa

Kích thước 

Datasheet TPS28226DR