Giới thiệu chung
FDA38N30 là một loại MOSFET kênh N công suất cao. Linh kiện này được thiết kế để hoạt động hiệu quả trong các mạch điện áp cao, dòng lớn như nguồn xung (SMPS), inverter, bộ kích điện và các thiết bị công nghiệp.

Đặc điểm nổi bật
- Là MOSFET kênh N, FDA38N30 có khả năng chịu điện áp lên đến 300V và dòng dẫn liên tục đạt 38A.
- MOSFET này có điện trở dẫn thấp (Rds(on) thấp), giúp giảm tổn hao và tăng hiệu suất trong các ứng dụng chuyển mạch.
- Vỏ TO-3P (tương đương TO-247) giúp dễ gắn tản nhiệt, phù hợp với các ứng dụng yêu cầu công suất lớn và độ tin cậy cao.
- Thích hợp cho mạch hoạt động ở tần số chuyển mạch từ trung bình đến cao.
Cấu tạo
- Cấu trúc kênh N, điều khiển bằng điện áp giữa Gate và Source.
- Có 3 chân: Drain, Gate và Source.
- Vỏ nhựa chịu nhiệt TO-3P, mặt kim loại tiếp xúc tản nhiệt.
Sơ đồ chân và sơ đồ cấu tạo

Thông số kỹ thuật

Kích thước

Ứng dụng
Nguồn xung công suất lớn (SMPS)
Mạch nghịch lưu (inverter), biến tần điều khiển động cơ
Bộ kích điện, UPS
Thiết bị năng lượng tái tạo như inverter solar
Mạch nguồn cho ampli công suất và thiết bị điện tử công nghiệp



Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.