Giới thiệu chung
SI2309CDS-T1-GE3 là MOSFET công suất nhỏ kênh P, điện áp cao, đóng gói SOT-23-3, thường có ký hiệu trên thân: N9SCC. Linh kiện được sử dụng phổ biến trong các mạch công tắc nguồn và quản lý nguồn DC.

Đặc điểm nổi bật
- MOSFET kênh P (P-Channel)
- Điện áp chịu đựng cao −60V
- Dòng dẫn liên tục −1.6A
- Điều khiển mức logic (2.5V – 10V)
- Rds(on) thấp giúp giảm tổn hao
- Tốc độ đóng cắt nhanh
- Kích thước nhỏ gọn SOT-23-3
- Ký hiệu trên thân thường gặp: N9SCC
Thông số kỹ thuật chính
- VDS (Drain-Source): −60V
- ID liên tục: −1.6A
- ID xung: ≈ −5A
- VGS (Gate-Source): ±20V
- RDS(on):
- ≈ 0.25Ω @ VGS = −10V
- ≈ 0.35Ω @ VGS = −4.5V
- Công suất tiêu tán: ~1W
- Nhiệt độ hoạt động: −55°C đến +150°C
- Đóng gói: SOT-23-3

Sơ đồ chân SOT-23-3
- Gate
- Source
- Drain

Kích thước

Ứng dụng
- Công tắc nguồn High-Side
- Mạch bảo vệ đảo cực nguồn
- Mạch chọn nguồn tự động
- Mạch quản lý pin Lithium
- Thiết bị điện tử dùng pin
- Điều khiển bật/tắt nguồn bằng MCU
- Mạch DC-DC công suất nhỏ



Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.