SCT40N120 MOSFET Kênh N 40A 1200V TO-3P tháo máy

SCT40N120 là MOSFET công suất kênh N sử dụng công nghệ Silicon Carbide (SiC), có điện áp chịu đựng 1200V và khả năng dẫn dòng khoảng 40–45A tùy điều kiện định mức. Đây là dòng linh kiện được STMicroelectronics phát triển cho các ứng dụng công suất cao như inverter năng lượng mặt trời, bộ nguồn cao tần và bộ điều khiển động cơ. Tài liệu kỹ thuật của ST/Rutronik ghi nhận SCT40N120 có VDSS 1200V, ID tối đa 45A tại 25°C, RDS(on) tối đa 0,1Ω và Qg điển hình 105nC.

Chức năng của SCT40N120

SCT40N120 đảm nhiệm vai trò đóng cắt dòng điện công suất cao trong các mạch điện tử công suất.

MOSFET SiC có ưu điểm về khả năng làm việc ở điện áp cao và tần số chuyển mạch cao, phù hợp với các bộ biến đổi công suất hiện đại.

Các chức năng chính:

• Đóng/ngắt dòng điện trong mạch công suất.
• Thực hiện chuyển mạch cao tần.
• Điều khiển năng lượng trong mạch DC-DC.
• Làm khóa công suất trong mạch inverter.
• Sử dụng trong các tầng PFC và LLC công suất cao.

Tài liệu ST liệt kê các ứng dụng của dòng SCT40N120 gồm solar inverter, high-frequency power supplies và motor drives.

Ứng dụng

SCT40N120 có thể được sử dụng trong:

• Biến tần năng lượng mặt trời
• Bộ nghịch lưu công suất cao
• Bộ nguồn chuyển mạch công suất lớn
• Bộ chuyển đổi DC-DC
• Mạch LLC
• Mạch PFC
• Bộ điều khiển động cơ
• Bộ sạc công suất cao
• Thiết bị điện công nghiệp
• Hệ thống chuyển đổi năng lượng

Một ví dụ thực tế là SCT40N120 được sử dụng trong các tầng LLC DC-DC công suất cao của một số hệ thống sạc trên xe điện.

Thông số kỹ thuật SCT40N120

Thông số	Giá trị
Mã linh kiện	SCT40N120
Loại linh kiện	SiC MOSFET kênh N
Công nghệ	Silicon Carbide (SiC)
Điện áp Drain-Source (VDSS)	1200V
Dòng Drain tối đa	45A @ 25°C
RDS(on) tối đa	0,1Ω @ VGS = 20V
Gate Charge (Qg)	105nC typ.
Nhiệt độ mối nối tối đa	200°C
Package theo dòng linh kiện ST	HiP247™
Tình trạng sản phẩm	Tháo máy

Ưu điểm của MOSFET SiC SCT40N120

Điện áp chịu đựng cao 1200V

Mức VDSS 1200V giúp SCT40N120 phù hợp với các mạch chuyển đổi công suất sử dụng bus DC điện áp cao.

Điện trở dẫn thấp

SCT40N120 có RDS(on) tối đa 0,1Ω tại VGS = 20V, giúp giảm tổn hao dẫn điện khi MOSFET hoạt động đúng điều kiện thiết kế.

Phù hợp chuyển mạch công suất cao

Công nghệ SiC cho phép linh kiện được sử dụng trong các bộ biến đổi công suất và ứng dụng chuyển mạch cao tần. Đây cũng là lý do SCT40N120 được đưa vào các thiết kế inverter, nguồn cao tần và motor drive.

Lưu ý khi mua SCT40N120 tháo máy

Vì đây là linh kiện tháo máy, người mua nên kiểm tra trước khi lắp vào mạch công suất:

• Kiểm tra ngoại quan vỏ linh kiện.
• Kiểm tra tình trạng các chân Gate – Drain – Source.
• Đo kiểm tra chập giữa Drain và Source.
• Kiểm tra rò Gate-Source.
• Kiểm tra khả năng đóng/ngắt của MOSFET bằng thiết bị đo phù hợp.
• Kiểm tra tình trạng bề mặt tiếp xúc với tản nhiệt.
• Không đánh giá chất lượng chỉ dựa vào việc linh kiện còn nguyên hình thức.

Đặc biệt với MOSFET SiC dùng trong mạch điện áp cao, không nên thay trực tiếp chỉ vì cùng mức 1200V và 40A. Cần đối chiếu thêm RDS(on), điện tích Gate, đặc tính chuyển mạch, điện áp Gate và yêu cầu của mạch driver.

Xem thêm các mã Mosfet khác tại đây