MOSFET kênh N BSS131H6327 ký hiệu SRs SOT-23 240V 0.1A

1. Giới thiệu chung về MOSFET BSS131H6327

BSS131H6327 là MOSFET kênh N (N-Channel MOSFET) dạng dán SMD, được thiết kế cho các ứng dụng đóng cắt và điều khiển tín hiệu trong mạch điện tử. Linh kiện sử dụng kiểu vỏ SOT-23 nhỏ gọn, có điện áp Drain-Source lên đến 240V và dòng Drain khoảng 0.1A (100mA).

Trên bề mặt linh kiện thường sử dụng mã đánh dấu SRs để hỗ trợ nhận dạng khi kiểm tra, sửa chữa hoặc thay thế linh kiện trên bo mạch.

Điểm đáng chú ý của BSS131H6327 là khả năng chịu điện áp tương đối cao trong khi kích thước linh kiện rất nhỏ. Vì vậy, MOSFET này thích hợp với các mạch đóng cắt tải nhỏ, mạch điều khiển điện áp cao, mạch nguồn và nhiều thiết bị điện tử sử dụng linh kiện SMD.

2. Đặc điểm của BSS131H6327

BSS131H6327 thuộc nhóm MOSFET công suất nhỏ kênh N, hoạt động dựa trên điện áp điều khiển tại cực Gate. Một số đặc điểm chính của linh kiện gồm:

• MOSFET loại N-Channel.
• Điện áp Drain-Source tối đa khoảng 240V.
• Dòng Drain khoảng 0.1A.
• Kiểu đóng gói SOT-23 nhỏ gọn.
• Linh kiện dạng SMD phù hợp với dây chuyền SMT.
• Trở kháng đầu vào Gate cao nên dòng điều khiển Gate rất nhỏ.
• Có khả năng đóng/ngắt nhanh trong các mạch chuyển mạch.
• Phù hợp cho các ứng dụng điện áp tương đối cao nhưng dòng tải nhỏ.
• Kích thước nhỏ giúp tiết kiệm diện tích trên PCB.

So với MOSFET công suất lớn, BSS131H6327 không được thiết kế để điều khiển tải có dòng điện lớn. Thế mạnh của linh kiện nằm ở khả năng đóng cắt tín hiệu hoặc tải nhỏ ở mức điện áp tương đối cao.

3. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

BSS131H6327 là MOSFET kênh N gồm ba cực điện chính:

Gate (G – cực cổng): nhận tín hiệu điện áp điều khiển MOSFET.

Drain (D – cực máng): kết nối với tải hoặc phía điện áp cần được đóng cắt.

Source (S – cực nguồn): tạo đường dẫn dòng điện cùng với cực Drain khi MOSFET được kích dẫn.

Khác với transistor BJT sử dụng dòng điện ở cực Base để điều khiển, MOSFET chủ yếu được điều khiển bằng điện áp giữa Gate và Source (VGS). Vì vậy, dòng điện cần thiết tại đầu vào điều khiển rất nhỏ.

Khi điện áp VGS đạt mức phù hợp, một kênh dẫn được hình thành giữa Drain và Source, cho phép dòng điện chạy qua MOSFET. Khi điện áp điều khiển Gate được loại bỏ hoặc giảm xuống dưới ngưỡng cần thiết, kênh dẫn bị ngắt và MOSFET chuyển sang trạng thái khóa.

Đặc tính này giúp BSS131H6327 thích hợp cho các mạch đóng cắt điện tử cần tốc độ phản hồi nhanh và tiêu thụ công suất điều khiển thấp.

4. Thông số kỹ thuật BSS131H6327

Thông số	Giá trị
Mã linh kiện	BSS131H6327
Ký hiệu trên thân	SRs
Loại transistor	MOSFET
Loại kênh	N-Channel
Điện áp Drain-Source (VDS)	240V
Dòng Drain (ID)	0.1A / 100mA
Kiểu đóng gói	SOT-23
Số chân	3 chân
Công nghệ lắp ráp	SMD/SMT
Chân điều khiển	Gate
Các cực chính	Gate – Source – Drain
Phương thức điều khiển	Điều khiển bằng điện áp
Đặc tính sử dụng	Đóng cắt và khuếch đại tín hiệu
Nhóm ứng dụng	Điện áp cao, dòng điện nhỏ

Các giá trị giới hạn tuyệt đối và điều kiện vận hành cụ thể cần được đối chiếu với datasheet đúng phiên bản linh kiện trước khi thiết kế mạch.

5. Kích thước MOSFET BSS131H6327 SOT-23

6. Ứng dụng của BSS131H6327

MOSFET BSS131H6327 có thể được sử dụng trong nhiều loại mạch điện tử như:

• Mạch đóng cắt tín hiệu điện tử.
• Mạch điều khiển tải dòng nhỏ.
• Mạch chuyển mức điện áp.
• Mạch nguồn xung ở các vị trí công suất nhỏ.
• Mạch điều khiển transistor hoặc MOSFET công suất lớn hơn.
• Mạch khuếch đại tín hiệu.
• Mạch tạo và xử lý xung.
• Mạch điều khiển relay công suất nhỏ khi điều kiện tải phù hợp.
• Mạch bảo vệ và cách ly các tầng tín hiệu.
• Thiết bị điều khiển công nghiệp.
• Bo mạch nguồn và bo điều khiển.
• Thiết bị đo lường điện tử.
• Thiết bị điện tử dân dụng.
• Các bo mạch cần linh kiện chịu điện áp cao nhưng dòng điện nhỏ.

DATASHEET