6R125P, IPP60R125CP Mosfet Kênh N 25A/600V/208W TO-3P
30,500₫
Mã sản phẩm: 6R125P (IPP60R125CP)
Loại linh kiện: Mosfet
Kiểu chân: TO-3P
Công suất: 25A/600V/208W
Hình thức : Mới
Tình trạng : Còn hàng
Vị trí: 32-03
Đã cập nhật
Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh 1: 0333595662
Kinh doanh 2: 0372770860
Kĩ thuật viên sửa chữa: 0979578581 (Kiên)
(Giờ làm việc: Buổi sáng: 7:30-12:00, Buổi chiều: 13:30-18:00 từ Thứ 2 đến thứ 7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu từ 50.000 vnđ. Đơn hàng chưa bao gồm phí vận chuyển (đội ngũ nhân viên lên đơn sẽ liên hệ với khách hàng thông báo chi phí vận chuyển khi đơn hàng được đặt thành công).
Kinh doanh 1: 0333595662
Kinh doanh 2: 0372770860
Kĩ thuật viên sửa chữa: 0979578581 (Kiên)
(Giờ làm việc: Buổi sáng: 7:30-12:00, Buổi chiều: 13:30-18:00 từ Thứ 2 đến thứ 7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu từ 50.000 vnđ. Đơn hàng chưa bao gồm phí vận chuyển (đội ngũ nhân viên lên đơn sẽ liên hệ với khách hàng thông báo chi phí vận chuyển khi đơn hàng được đặt thành công).
Giới thiệu về 6R125P
IPP60R125CP là một MOSFET kênh-N mạnh mẽ được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng công suất cao với khả năng chịu đựng điện áp và dòng điện lớn. Đây là một linh kiện phổ biến trong các ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao và hiệu quả chuyển mạch tốt. MOSFET IPP60R125CP là một linh kiện hiệu quả và đáng tin cậy cho các ứng dụng công suất cao, từ điều khiển động cơ đến bộ nguồn cung cấp chuyển mạch và hệ thống biến tần.
Đặc trưng kỹ thuật
- Loại linh kiện: MOSFET Kênh-N (N-Channel).
- Điện áp tối đa giữa Drain-Source (V<sub>DS</sub>): 600V.
- Đây là điện áp tối đa mà MOSFET có thể chịu đựng giữa chân Drain và Source mà không bị hỏng.
- Dòng điện tối đa qua Drain (I<sub>D</sub>): 25A.
- Đây là dòng điện lớn nhất mà MOSFET có thể dẫn khi ở trạng thái bật (ON) mà không gây quá nhiệt hoặc hỏng hóc.
- Điện áp ngưỡng Gate-Source (V<sub>GS(th)</sub>): Khoảng 2-4V.
- Đây là điện áp tối thiểu giữa chân Gate và Source cần thiết để bắt đầu kích hoạt MOSFET (khi điện áp vượt ngưỡng này, MOSFET bắt đầu dẫn điện).
- Kháng trở trong trạng thái bật (R<sub>DS(on)</sub>):
- Giá trị R<sub>DS(on)</sub>: Khoảng 0.125Ω (125mΩ) khi MOSFET ở trạng thái bật với V<sub>GS</sub> ở mức tối ưu. Giá trị này giúp giảm tổn thất công suất khi MOSFET hoạt động.
- Tần số chuyển mạch:
- MOSFET IPP60R125CP có khả năng chuyển mạch nhanh, thích hợp cho các ứng dụng yêu cầu tần số chuyển mạch cao như trong bộ nguồn chuyển mạch và mạch điều khiển động cơ.
- Nhiệt độ hoạt động:
- Nhiệt độ junction tối đa: 150°C. Đây là nhiệt độ tối đa mà MOSFET có thể hoạt động mà vẫn đảm bảo hiệu suất và tuổi thọ.
- Đóng gói (Package):
- Kiểu đóng gói phổ biến: TO-220 hoặc D2PAK, giúp tản nhiệt tốt và hỗ trợ các ứng dụng công suất cao.
Thông số kỹ thuật
Sơ đồ cấu tạo
Ứng dụng
- Nguồn cung cấp chuyển mạch (SMPS):
- IPP60R125CP được sử dụng trong các bộ nguồn chuyển mạch, nơi cần điều khiển điện áp và dòng điện với hiệu suất cao và tổn thất thấp.
- Điều khiển động cơ:
- MOSFET này phù hợp cho các mạch điều khiển động cơ, đặc biệt là động cơ DC hoặc các tải cần dòng điện lớn.
- Biến tần (Inverter):
- Trong các hệ thống biến tần, IPP60R125CP được sử dụng để chuyển đổi dòng điện DC sang AC với hiệu suất cao và độ tin cậy.
- Bộ khuếch đại công suất:
- Được sử dụng trong các mạch khuếch đại công suất, nơi yêu cầu khả năng dẫn dòng lớn mà không gây biến dạng tín hiệu hoặc tổn thất lớn.
Kích thước 6R125P
Xem thêm: Các mã Mosfet khác
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.