Giới thiệu về 2SK2194
2SK2194 là một transistor MOSFET loại N-channel, thường được sử dụng trong các ứng dụng công suất cao và mạch khuếch đại. Đây là một sản phẩm của hãng Toshiba.

Đặc trưng kỹ thuật
- Đặc Tính ID-VDS: Biểu đồ này thể hiện mối quan hệ giữa dòng chảy (ID) và điện áp cực chảy (V_DS) ở các điện áp cực cổng khác nhau, cho thấy khả năng dẫn dòng của MOSFET.
- Đặc Tính R_DS(on) Theo V_GS: Biểu đồ này mô tả điện trở cực chảy (R_DS(on)) thay đổi theo điện áp cực cổng (V_GS), cung cấp thông tin về hiệu suất chuyển mạch của MOSFET trong các điều kiện khác nhau.
- Chuyển Mạch Nhanh: 2SK2194 có khả năng chuyển mạch nhanh, thích hợp cho các ứng dụng yêu cầu tốc độ chuyển mạch cao và hiệu suất cao.
- Điện Trở Cực Chảy Thấp: Với R_DS(on) thấp, MOSFET này giúp giảm tổn thất năng lượng và giảm nhiệt lượng sinh ra trong các ứng dụng công suất cao.
- Điện Áp Cực Cổng Thấp: Có thể dẫn dòng với điện áp cổng thấp, giúp tiết kiệm năng lượng và dễ dàng điều khiển trong các mạch điện.
Thông số kỹ thuật
- Điện áp cực chảy (Drain-Source Voltage, V_DS): Tối đa: 500V
- Dòng cực chảy (Drain Current, I_D):
- Dòng cực chảy liên tục tối đa: 15A (tại nhiệt độ môi trường 25°C)
- Dòng cực chảy tối đa (xung ngắn): 45A
- Điện trở cực chảy (R_DS(on)): Tối thiểu: 0.06Ω (tại V_GS = 10V)
- Điện áp cực cổng (Gate-Source Voltage, V_GS):
- Tối đa: ±20V
- Điện áp cực cổng tối thiểu để dẫn dòng: Khoảng 2.0V
- Nhiệt độ hoạt động:
- Tối đa: 150°C
- Nhiệt độ lưu trữ: -55°C đến +150°C

Sơ đồ cấu tạo

Kích thước 2SK2194



Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.