FQD20N60LE Mosfet kênh-N 1.9A/600V TO-252

banlinhkiendientu.com chuyên cung cấp Mosfet FQD20N60LE, với chất lượng tốt và giá cả hợp lý đảm bảo cung cấp số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của mọi khách hàng.

Giới thiệu FQD20N60LE

Các hiệu ứng trường năng lượng của chế độ nâng cao N-Channel này bóng bán dẫn được sản xuất bằng công nghệ độc quyền của Fairchild, sọc phẳng, công nghệ DMOS. Công nghệ tiên tiến này đã được thiết kế đặc biệt để giảm thiểu điện trở trạng thái, cung cấp khả năng chuyển mạch vượt trội hiệu suất và chịu được xung năng lượng cao trong chế độ tuyết lở và giao hoán. Những thiết bị này tốt thích hợp cho các ứng dụng điện áp thấp như ô tô, DC/ Bộ chuyển đổi DC và chuyển mạch nguồn hiệu quả cao quản lý các sản phẩm di động và chạy bằng pin.

Đặc trưng FQD20N60LE

• 17,2A, 60V, RDS(bật) = 0,06Ω @ VGS = 10V
• Điện tích cổng thấp (điển hình là 9,5 nC)
• Crs thấp (điển hình là 35 pF)
• Chuyển đổi nhanh
• Cải thiện khả năng dv/dt
• Định mức nhiệt độ mối nối tối đa 150oC
• Yêu cầu ổ đĩa cổng cấp thấp cho phép truyền động trực tiếp trình điều khiển logic hình thức hoạt động
• Đi-ốt bảo vệ ESD tích hợp

Xem thêm: Các sản phẩm Transistor khác

Hình ảnh thực tế FQD20N60LE

Sơ đồ chân FQD20N60LE

Thông số kỹ thuật của Mosfet FQD20N60LE

Kích thước của Mosfet FQD20N60LE

Datasheet FQD20N60LE