1MBH50D-060A, IMBH50D 060A IGBT 50A 600V tháo máy

Giới thiệu về IGBT 1MBH50D-060A

1MBH50D-060A là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) với dòng điện định mức 50A và điện áp chịu được tối đa 600V. IGBT này được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng điện công suất, đặc biệt là trong các mạch điều khiển động cơ, bộ điều khiển nguồn và các ứng dụng chuyển mạch công suất cao. IMBH50D 060A cũng là một mã tương tự với các thông số kỹ thuật gần giống. Được sản xuất trong cấu trúc tháo máy, nó có thể được tái sử dụng trong các ứng dụng cần linh kiện công suất mạnh mẽ và đáng tin cậy.

Nguyên lý hoạt động của IGBT 1MBH50D-060A

IGBT 1MBH50D-060A kết hợp đặc tính của cả BJT (Bipolar Junction Transistor) và MOSFET. Nó có một cổng điều khiển (Gate) giống như MOSFET, giúp điều khiển dòng điện với điện áp thấp, và một cực phát (Emitter) và cực thu (Collector) giống như BJT, giúp cung cấp khả năng truyền dòng điện lớn. Khi có tín hiệu điều khiển tại cổng, nó cho phép dòng điện lớn chạy từ cực Collector đến cực Emitter, với đặc tính chuyển mạch nhanh và khả năng chịu được dòng điện cao.

IGBT hoạt động trong hai chế độ chính:

• Chế độ đóng (Off state): Khi không có tín hiệu điều khiển vào cổng, dòng điện giữa Collector và Emitter bị chặn.
• Chế độ mở (On state): Khi có tín hiệu điện áp vào cổng, IGBT sẽ dẫn điện từ Collector đến Emitter, cho phép dòng điện chảy qua mạch.

Đặc trưng 1MBH50D-060

• Square RBSOA
• Điện áp bão hòa thấp
• Tổng công suất tiêu tán ít hơn
• Giảm thiểu độ tự cảm lạc bên trong

Thông số kĩ thuật 1MBH50D-060

Sơ đồ tương đương 1MBH50D-060

Kích thước 1MBH50D-060

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet 1MBH50D-060