FF900R12IE4 MODULE IGBT 900A 1200V tháo máy

FF900R12IE4 là một mô-đun IGBT (Transistor lưỡng cực cổng cách ly) do Infineon sản xuất, chuyên dùng cho các ứng dụng công suất cao, yêu cầu hiệu suất chuyển mạch nhanh và khả năng xử lý dòng điện lớn. Đây là một sản phẩm lý tưởng trong các hệ thống yêu cầu dòng điện và điện áp cao, như các bộ biến tần và động cơ công nghiệp.

Đặc điểm FF900R12IE4

1. Dòng điện lớn: Mô-đun có khả năng xử lý dòng điện tới 900A, phù hợp cho các ứng dụng công suất cao.
2. Điện áp chịu tải cao: Điện áp tối đa giữa collector và emitter (VCE) lên tới 1200V, lý tưởng cho các hệ thống công suất lớn.
3. Tổn hao chuyển mạch thấp: Dòng IE4 nổi bật với tổn hao chuyển mạch thấp, giúp tăng hiệu suất tổng thể và giảm tỏa nhiệt.
4. Đi-ốt tự do tích hợp: Mô-đun tích hợp đi-ốt tự do (freewheeling diode) để cải thiện dòng điện trong quá trình chuyển mạch và giảm tổn hao phục hồi ngược.
5. Thiết kế bền bỉ: Mô-đun được thiết kế chắc chắn, có khả năng hoạt động tốt trong các môi trường khắc nghiệt với khả năng tản nhiệt và độ ổn định cơ học tốt.
6. Hiệu suất cao: FF900R12IE4 mang lại hiệu suất cao, phù hợp cho các hệ thống công nghiệp yêu cầu hoạt động liên tục và đáng tin cậy.

Ứng dụng FF900R12IE4

• Bộ điều khiển động cơ: Sử dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ công nghiệp đòi hỏi công suất cao và hiệu suất lớn.
• Biến tần: Được ứng dụng trong các bộ biến tần công suất lớn, đặc biệt là trong lĩnh vực năng lượng tái tạo như hệ thống điện mặt trời và điện gió.
• Hệ thống điện giao thông: Sử dụng trong các hệ thống giao thông điện, bao gồm tàu điện và xe điện.
• Nguồn cung cấp công suất lớn: Phù hợp cho các nguồn cấp điện yêu cầu dòng điện và điện áp cao.
• Hệ thống UPS: Đảm bảo chuyển đổi điện năng ổn định trong các hệ thống UPS (bộ lưu điện).

Thông số kĩ thuật FF900R12IE4

• Dòng điện collector (IC): 900A
• Điện áp collector-emitter (VCE): 1200V
• Điện áp gate-emitter (VGE): ±20V
• Thời gian chịu quá tải ngắn mạch: 10 μs
• Tần số chuyển mạch: Thích hợp cho các ứng dụng có tần số chuyển mạch trung bình.
• Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +150°C
• Đóng gói mô-đun: Được đóng gói trong vỏ chắc chắn, tối ưu cho khả năng tản nhiệt và quản lý nhiệt.

Sơ đồ cấu tạo FF900R12IE4

Kích thước FF900R12IE4

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet FF900R12IE4