IPW60R199CP 6R199P Mosfet Kênh N 650V 16A TO-247 (tháo máy)
12,500₫
Kinh doanh 1: 0333.595.662
Kinh doanh 2: 0372.770.860
(Giờ làm việc: Buổi sáng: 7:30-12:00, Buổi chiều: 13:30-18:00 từ Thứ 2 đến thứ 7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ và chưa bao gồm phí vận chuyển.
Giới thiệu chung IPW60R199CP
MOSFET 6R199P IPW60R199CP là một MOSFET kênh N (N-Channel) thuộc dòng sản phẩm CoolMOS™ C6 của Infineon, được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao, tổn thất thấp, và độ tin cậy cao.
Đặc điểm nổi bật IPW60R199CP
-
Rds(on) thấp:
-
Giảm tổn hao dẫn điện, giúp thiết bị mát hơn và tiết kiệm năng lượng.
-
-
Khả năng chuyển mạch nhanh:
-
Tối ưu cho các ứng dụng tần số cao → giảm kích thước linh kiện đi kèm như biến áp, cuộn cảm.
-
-
Công nghệ CoolMOS™ C6:
-
Tối ưu hóa để đạt được hiệu suất tốt trong các ứng dụng chuyển đổi điện năng (power conversion) nhờ vào công nghệ trench MOSFET.
-
-
Chịu áp cao 650V:
-
An toàn trong các mạch điện lưới AC và chuyển đổi điện năng cao áp.
-
-
Đóng gói TO-247:
-
Tản nhiệt tốt, thích hợp cho dòng điện lớn.
-
Thông số kỹ thuật IPW60R199CP
Sơ đồ chân IPW60R199CP
Kích thước IPW60R199CP
Ứng dụng tiêu biểu IPW60R199CP
| Lĩnh vực | Ứng dụng cụ thể |
|---|---|
| Nguồn điện (SMPS) | Nguồn máy tính, nguồn công nghiệp |
| Biến tần | Biến tần năng lượng mặt trời, biến tần động cơ |
| PFC (Power Factor Correction) | Bộ sửa hệ số công suất chuẩn PFC Boost |
| UPS | Bộ lưu điện công nghiệp |
| Thiết bị hàn | Máy hàn điện tử, hàn hồ quang |
| Thiết bị LED công suất cao | Driver LED hiệu suất cao |
Lưu ý khi sử dụng IPW60R199CP
-
Tản nhiệt là yếu tố quan trọng: cần dùng tản nhiệt tốt hoặc keo tản nhiệt để đảm bảo nhiệt độ hoạt động an toàn.
-
Điều khiển Gate: Cần thiết kế mạch drive phù hợp với điện áp Gate (Vgs) thường từ 10V đến 12V để MOSFET hoạt động hiệu quả.
-
Kiểm tra điện áp ngược (Body Diode): Trong một số ứng dụng, đặc tính diode ngược cũng là một yếu tố cần quan tâm.
Xem thêm các Mosfet khác tại đây
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.