BSM35GD120DN2E3224 Module IGBT 35A 1200V (tháo máy)

Giới thiệu về BSM35GD120DN2E3224

BSM35GD120DN2E3224 là một mô-đun Transistor Lưỡng cực Cổng Cách ly (IGBT) do Infineon sản xuất, thiết kế để xử lý các ứng dụng công suất trung bình với hiệu suất cao. Mô-đun này có khả năng xử lý dòng điện lên đến 35A và điện áp định mức 1200V.

Đặc điểm BSM35GD120DN2E3224

• Hiệu suất chuyển mạch cao: Thiết kế tối ưu để giảm thiểu tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch, nâng cao hiệu quả hoạt động của hệ thống.
• Khả năng chịu nhiệt tốt: Đảm bảo hoạt động ổn định trong các điều kiện nhiệt độ cao, kéo dài tuổi thọ và tăng cường độ tin cậy của mô-đun.
• Thiết kế tích hợp: Giảm số lượng linh kiện riêng lẻ, đơn giản hóa quá trình lắp đặt và bảo trì, đồng thời cải thiện hiệu suất hệ thống.

Ứng dụng BSM35GD120DN2E3224

• Biến tần công suất trung bình: Sử dụng trong các hệ thống biến tần yêu cầu độ ổn định và hiệu suất cao.
• Nguồn cung cấp điện công nghiệp: Được ứng dụng trong các hệ thống cung cấp điện yêu cầu dòng điện và điện áp trung bình.
• Điều khiển động cơ: Phù hợp cho các hệ thống điều khiển động cơ công suất trung bình, đảm bảo hiệu quả và sự ổn định trong vận hành.

Thông số kĩ thuật BSM35GD120DN2E3224

• Dòng điện định mức: 35 Ampe (A)
• Điện áp định mức: 1200 Volt (V)
• Thiết kế mô-đun: Được đóng gói trong một thiết kế mô-đun mạnh mẽ, phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu hiệu suất và độ tin cậy cao.

Sơ đồ tương đương BSM35GD120DN2E3224

Kích thước BSM35GD120DN2E3224

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet BSM35GD120DN2E3224