Giới thiệu FDS4559
Thiết bị MOSFET bổ sung này được sản xuất bằng cách sử dụng Quy trình PowerTrench tiên tiến của Fairchild có được thiết kế đặc biệt để giảm thiểu trạng thái bật điện trở và vẫn duy trì điện tích cổng thấp cho hiệu suất chuyển mạch vượt trội.
Mô tả FDS4559
- Q1: Kênh N 4,5 A, 60 V RDS(bật) = 55 mΩ @ VGS = 10V RDS(bật) = 75 mΩ @ VGS = 4,5V
- Q2: Kênh P –3,5 A, –60 V RDS(bật) = 105 mΩ @ VGS = –10V RDS(bật) = 135 mΩ @ VGS = –4,5V
Xem thêm: Các sản phẩm IC khác
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.