FHA30N60 MOSFET kênh N 30A 600V

Giới thiệu chung về MOSFET kênh N FHA30N60

FHA30N60 là một MOSFET công suất kênh N (N-channel Power MOSFET), được sử dụng trong các mạch điện tử công suất để thực hiện chức năng đóng cắt dòng điện ở điện áp cao. Linh kiện có điện áp Drain-Source tối đa khoảng 600 V và dòng Drain danh định 30 A. FHA30N60 thường được chế tạo dưới dạng vỏ TO-3P, phù hợp với các ứng dụng yêu cầu khả năng chịu dòng lớn và tản nhiệt tốt.

1. Đặc điểm cấu tạo

FHA30N60 có cấu tạo cơ bản của MOSFET kênh N tăng cường, gồm ba cực chính:

• Gate (G): là cực điều khiển. Điện áp đặt giữa Gate và Source quyết định trạng thái đóng hoặc mở của MOSFET.

• Drain (D): là cực máng, thường nối với phía tải hoặc nguồn điện áp cao trong mạch.

• Source (S): là cực nguồn, thường được nối với cực âm hoặc mass trong các mạch đóng cắt kiểu low-side.

Cực Gate được cách điện với vùng bán dẫn bên trong MOSFET nên dòng điện một chiều đi vào Gate rất nhỏ. MOSFET được điều khiển chủ yếu bằng điện áp VGS. Khi điện áp VGS đạt đến mức thích hợp, một kênh dẫn điện được hình thành giữa Drain và Source, cho phép dòng điện chạy qua.

2. Thông số kỹ thuật cơ bản

3. Kích thước

4. Ứng dụng

FHA30N60 có thể được sử dụng trong nhiều mạch điện tử công suất, chẳng hạn:

• Mạch nguồn xung.

• Bộ nghịch lưu DC-AC.

• Bộ biến đổi DC-DC.

• Bộ lưu điện UPS.

• Mạch PFC.

• Mạch điều khiển động cơ.

• Mạch đóng cắt tải công suất.

• Các bộ biến đổi điện áp và năng lượng trong thiết bị công nghiệp.