Mosfet kênh N FQPF19N10 19A 100V TO-220

Giới thiệu về FQPF19N10

FQPF19N10 là transistor MOSFET kênh N, được thiết kế để xử lý dòng điện lớn trong các ứng dụng công suất cao như mạch nguồn chuyển mạch, bộ điều khiển động cơ và hệ thống điện tử công nghiệp. Linh kiện này có điện trở dẫn thấp, khả năng đóng cắt nhanh và hoạt động ổn định trong môi trường nhiệt độ cao.

Thông số kỹ thuật của FQPF19N10

• Điện áp chịu được (Vds): 100V

• Dòng điện tối đa (Id): 13.6A tại Tc = 25°C

• Rds(on): 100mΩ tại Vgs = 10V, Id = 6.8A

• Tổng điện tích cổng (Qg): 19nC

• Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): 4V tại Id = 250µA

• Điện áp cổng tối đa (Vgs): ±25V

• Công suất tiêu tán tối đa: 38W tại Tc = 25°C

• Nhiệt độ hoạt động tối đa: 175°C

• Gói: TO-220F

Ứng dụng của FQPF19N10

• Bộ chuyển đổi nguồn DC-DC

• Nguồn điện công nghiệp

• Mạch điều khiển động cơ

• Nguồn cho thiết bị điện tử công suất lớn

• Ứng dụng trong xe điện, UPS và bộ nghịch lưu

Sơ đồ chân của FQPF19N10

Kích thước của FQPF19N10

Xem thêm các MOSFET khác tại đây

Datasheet của FQPF19N10