IRFB4110 Mosfet Kênh-N 100V/180A TO-220C

• IRFB4110 là MOSFET kênh N trong gói TO-220AB. Nó là MOSFET hiệu quả cao để sử dụng trong Hệ thống SMPS và UPS. Transistor có nhiều tính năng và lợi ích như nó có cổng tốt, định mức dv / dt động tốt hơn, điện dung được đặc trưng đầy đủ,…
• Nhìn vào các khả năng khác, transistor sở hữu tốc độ chuyển mạch cao nên lý tưởng để sử dụng trong các ứng dụng nơi chuyển mạch tốc độ cao là một yêu cầu thiết yếu. Dòng cực máng liên tục tối đa là 180A cũng làm cho nó trở thành một MOSFET lý tưởng để sử dụng trong các ứng dụng mà nhà thiết kế muốn điều khiển lượng tải cao. Hơn nữa, nhiệt độ mối nối tối đa là 175 ° C làm cho nó có khả năng cung cấp nhiều năng lượng hơn khi nhiệt độ của nó cao so với MOSFET nhiệt độ thấp.
• IRFB4110 có thông số kỹ thuật khá thú vị, điện áp cực máng cực nguồn tối đa là 100V, dòng cực máng liên tục tối đa là 180A và dòng cực máng xung tối đa là 670A và tổng công suất tiêu thụ của transistor là 370W.
• Các ứng dụng chính cho MOSFET này là UPS, các mạch chuyển mạch tốc độ cao, các ứng dụng tần số cao, chuyển mạch cứng,… Nhưng nó cũng có thể được sử dụng cho nhiều ứng dụng khác.

Mô tả

• Chỉ định loại: IRFB4110
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 370 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 100 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
• Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 4 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 180 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 175 °C
• Tổng phí cổng (Qg): 150 nC
• Thời gian tăng (tr): 67 nS
• Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 670 pF
• Điện trở trạng thái nguồn thoát tối đa (Rds): 0,0045 Ohm
• Đóng gói: TO220AB

Ứng dụng

• Nguồn điện
• Nguồn cung cấp năng lượng liên tục
• Mạch sạc pin
• Mạch BMS
• Bộ sạc và nguồn cung cấp năng lượng mặt trời
• Mạch inverter