IRFBA90N20D Mosfet kênh N 98A 200V TO-273AA

Giới thiệu chung

IRFBA90N20D là MOSFET kênh N công suất cao sử dụng công nghệ HEXFET® của International Rectifier. Linh kiện được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch công suất, nguồn xung và inverter, yêu cầu điện áp chịu cao, dòng lớn và tổn hao thấp. Đóng gói TO-273AA (D²PAK) giúp tản nhiệt hiệu quả, phù hợp cho lắp dán công suất trên PCB.

Đặc điểm

• MOSFET kênh N công suất cao

• Công nghệ HEXFET®, hiệu suất chuyển mạch cao

• Điện trở Rds(on) thấp, giảm tổn hao dẫn

• Khả năng chịu dòng lớn, hoạt động ổn định

• Chuyển mạch nhanh, phù hợp tần số cao

• Đóng gói TO-273AA (D²PAK), tản nhiệt tốt, thích hợp SMT

Thông số kỹ thuật (theo datasheet)

• Mã linh kiện: IRFBA90N20D

• Loại linh kiện: N-Channel Power MOSFET

• Điện áp Drain–Source (Vds): 200V

• Dòng Drain liên tục (Id @ Tc = 25°C): 98A

• Điện áp Gate–Source tối đa (Vgs): ±20V

• Điện trở dẫn Rds(on): ≈ 18 mΩ (Vgs = 10V)

• Công suất tiêu tán tối đa: ≈ 300W

• Nhiệt độ mối nối hoạt động: -55°C đến +175°C

• Kiểu đóng gói: TO-273AA (D²PAK)

• Kiểu lắp đặt: dán bề mặt (SMD)

Ứng dụng

• Nguồn xung công suất cao (SMPS)

• Inverter, UPS

• Mạch điều khiển động cơ DC/AC

• Mạch chuyển mạch công nghiệp

• Thiết bị điện tử công suất và sửa chữa

Kích thước 

Datasheet IRFBA90N20D