IRFBC40 Mosfet Kênh-N 6.2A/600V TO-220

Giới thiệu IRFBC40

Transistor hiệu ứng trường nguồn cổng silicon ở chế độ tăng cường N-Channel này là một MOSFET công suất tiên tiến được thiết kế, thử nghiệm và đảm bảo có thể chịu được mức năng lượng xác định trong chế độ hoạt động khi xảy ra sự cố tuyết lở. Tất cả các MOSFET công suất này đều được thiết kế cho các ứng dụng như bộ điều chỉnh chuyển mạch, bộ chuyển đổi chuyển mạch, trình điều khiển động cơ, trình điều khiển rơle và trình điều khiển cho các bóng bán dẫn chuyển mạch lưỡng cực công suất cao yêu cầu tốc độ cao và công suất truyền động cổng thấp. Những loại này có thể được vận hành trực tiếp từ các mạch tích hợp.

Mô tả IRFBC40

• Chỉ định loại: IRFBC40
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Tản điện tối đa (Pd): 125 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 600 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
• Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 4 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 6,2 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 150 °C
• Tổng phí cổng (Qg): 60 (tối đa) nC
• Thời gian tăng (tr): 18 nS
• Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 160 pF
• Điện trở trạng thái nguồn xả tối đa (Rds): 1,2 Ohm

Thông số kỹ thuật của Mosfet IRFBC40

Sơ đồ chân

Xem thêm: Các mã Mosfet khác

Datasheet IRFBC40