Giới thiệu chung
IRG4PH50UD là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) loại tốc độ cao. Đây là linh kiện bán dẫn công suất kết hợp ưu điểm của MOSFET (điện áp điều khiển cổng thấp, tốc độ chuyển mạch cao) và BJT (khả năng chịu dòng lớn), rất phù hợp cho các ứng dụng chuyển đổi công suất trong bộ nghịch lưu, biến tần, và nguồn xung công suất cao.
Đặc điểm
-
Là IGBT kênh N có diode ngược tích hợp (ultrafast diode).
-
Điện áp điều khiển cổng thấp, dễ dàng điều khiển bởi mạch driver.
-
Thời gian chuyển mạch nhanh, tổn hao chuyển mạch thấp.
-
Có khả năng chịu điện áp cao và dòng lớn.
-
Được chế tạo theo công nghệ Trench/Field Stop hiện đại, giảm tổn hao dẫn.
Cấu tạo
-
Cấu trúc bán dẫn gồm 3 lớp PN kết hợp, có cổng cách ly bằng lớp oxide như MOSFET.
-
Có diode hồi tiếp (freewheeling diode) tích hợp sẵn để bảo vệ và tái tuần hoàn dòng điện.
-
Đóng gói dạng TO-247, chịu được công suất tỏa nhiệt cao, dễ gắn tản nhiệt.
Sơ đồ chân và sơ đồ cấu tạo
Thông số kỹ thuật chính
Kích thước
Ứng dụng
-
Bộ nghịch lưu (inverter) cho động cơ AC, servo, CNC.
-
Biến tần năng lượng mặt trời, UPS.
-
Bộ nguồn xung công suất cao (SMPS, PFC).
-
Ứng dụng hàn điện tử, cảm ứng từ.
-
Các mạch công suất công nghiệp cần hiệu suất và độ tin cậy cao.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.