IXSH60N120 IGBT 60A 1200V

IXSH60N120 là IGBT công suất NPT của IXYS, được thiết kế cho các mạch chuyển mạch công suất cao. Linh kiện có điện áp VCES 1200V và dòng collector 60A tại nhiệt độ vỏ 90°C, phù hợp với các ứng dụng như nguồn công suất, UPS, truyền động AC/DC, gia nhiệt cảm ứng và các bộ nghịch lưu. Datasheet của dòng 60N120 cho biết đây là IGBT công nghệ NPT3, có điện áp bão hòa thấp và khả năng chuyển mạch nhanh.

Chức năng của IXSH60N120

IXSH60N120 đóng vai trò khóa điện tử công suất, thực hiện đóng/ngắt dòng điện lớn theo tín hiệu điều khiển tại chân Gate.

IGBT này có thể đảm nhiệm:

• Đóng cắt dòng điện công suất cao.
• Chuyển mạch trong mạch inverter.
• Điều khiển năng lượng trong bộ nguồn switching.
• Làm khóa công suất trong mạch cầu H và cầu 3 pha.
• Điều khiển tải trong các hệ thống truyền động và gia nhiệt cảm ứng.

Công nghệ NPT3 của IXYS được thiết kế với điện áp bão hòa thấp, chuyển mạch nhanh và dòng đuôi ngắn, phù hợp với các mạch công suất cần hiệu suất chuyển đổi tốt.

Ứng dụng

IXSH60N120 có thể được sử dụng trong:

• Bộ nghịch lưu công suất
• UPS
• Bộ nguồn chuyển mạch
• Bộ biến đổi AC-DC/DC-AC
• Bộ điều khiển động cơ
• Mạch cầu H
• Mạch cầu 3 pha
• Thiết bị gia nhiệt cảm ứng
• Thiết bị điện công nghiệp
• Máy hàn và các thiết bị nguồn công suất

Các ứng dụng này phù hợp với nhóm ứng dụng được IXYS công bố cho dòng IGBT 60N120, bao gồm power supplies, UPS, AC/DC drives, induction heating và các cấu hình chopper/phase-leg/H-bridge/three-phase bridge.

Thông số kỹ thuật IXSH60N120

Thông số	Giá trị
Mã linh kiện	IXSH60N120
Hãng	IXYS
Loại linh kiện	IGBT công suất
Công nghệ	NPT3
Điện áp Collector-Emitter (VCES)	1200V
Dòng Collector tại TC = 25°C	95A
Dòng Collector tại TC = 90°C	60A
Dòng Collector xung ICM	100A
Điện áp Gate-Emitter	±20V
VCE(sat) typ.	2,1V @ 60A, VGE = 15V
VCE(sat) max.	2,7V @ 60A
Công suất tiêu tán Ptot	375W @ TC = 25°C
Thời gian ngắt td(off)	700ns typ.
Thời gian giảm dòng tf	50ns typ.
Gate Charge QG	500nC typ.
Nhiệt trở junction-case	0,33°C/W
Package	Cần đối chiếu đúng suffix/package

Các thông số 1200V, 95A tại 25°C, 60A tại 90°C, VCE(sat) 2,1V typ. và công suất 375W được ghi trong tài liệu kỹ thuật của IXYS cho 60N120.

Lưu ý về mã IXSH60N120

Khi tra cứu, cần phân biệt IXSH60N120 với các mã gần giống như 60N120 hoặc IXEN60N120. Ví dụ, IXEN60N120 là một phiên bản IGBT module SOT-227B/miniBLOC, không phải cùng package với linh kiện rời.

Vì vậy, khi bán hoặc thay thế IXSH60N120, nên kiểm tra đúng mã in trên linh kiện và package thực tế thay vì suy ra package chỉ từ phần “60N120”.

Ưu điểm

Điện áp chịu đựng 1200V

VCES 1200V cho phép IGBT làm việc trong các tầng công suất sử dụng bus DC điện áp cao, với điều kiện thiết kế đảm bảo điện áp đỉnh và quá áp chuyển mạch nằm trong giới hạn cho phép.

Khả năng dẫn dòng lớn

IXYS công bố dòng collector 60A tại TC = 90°C và khả năng dòng chip lên đến 95A tại TC = 25°C. Giá trị dòng sử dụng thực tế vẫn phụ thuộc nhiệt độ, tản nhiệt và chế độ chuyển mạch.

Phù hợp mạch chuyển mạch công suất

Thiết kế NPT3 hướng đến điện áp bão hòa thấp, chuyển mạch nhanh và dòng đuôi ngắn, phù hợp với các bộ biến đổi công suất và mạch nghịch lưu.

Lưu ý khi sử dụng

Khi thay IXSH60N120, cần kiểm tra đầy đủ:

• Điện áp 1200V.
• Dòng collector yêu cầu của mạch.
• VCE(sat).
• Điện áp điều khiển Gate.
• Điện tích Gate và khả năng của mạch driver.
• Thông số chuyển mạch.
• Sơ đồ chân Gate – Collector – Emitter.
• Package và cách lắp tản nhiệt.

Đặc biệt, 60A không có nghĩa là IGBT luôn có thể chạy liên tục ở 60A trong mọi điều kiện. Dòng định mức phụ thuộc đáng kể vào nhiệt độ vỏ, nhiệt trở và phương pháp tản nhiệt.

Xem thêm các mã IGNT khác tại đây