Giới thiệu chung
IXXH75N60B3D1 là IGBT công suất cao, thuộc dòng GenX3 / XPT, được thiết kế cho các mạch công nghiệp, nguồn xung, bộ nghịch lưu, inverter, UPS, PFC và các ứng dụng đòi hỏi điện áp cao và dòng lớn. Linh kiện kết hợp ưu điểm của MOSFET và BJT, giúp điều khiển bằng gate đơn giản nhưng chịu được dòng và điện áp cao. Đóng gói TO‑247‑3 giúp linh kiện tản nhiệt tốt, thuận tiện gắn heatsink hoặc khung tản nhiệt kim loại. IGBT này đặc biệt thích hợp cho mạch switching công suất lớn với tần số trung bình đến cao, có diode hồi tiếp tích hợp hỗ trợ các mạch nghịch lưu hoặc PFC.

Đặc điểm
– IGBT kênh N, điều khiển bằng gate.
– Vỏ TO‑247‑3, tản nhiệt tốt, dễ lắp đặt trong mạch công suất.
– Công nghệ GenX3 / XPT, tổn hao thấp, chuyển mạch nhanh.
– Có diode hồi tiếp tích hợp, thuận tiện cho mạch nghịch lưu, bridge hoặc PFC.
– Có thể ghép nhiều IGBT song song nhờ đặc tính nhiệt thuận lợi.
– Phù hợp mạch công suất lớn và các ứng dụng công nghiệp.
Thông số kỹ thuật chính

Kích thước

Ứng dụng
– Bộ nghịch lưu DC–AC / AC–DC công suất cao
– Nguồn xung công nghiệp, SMPS công suất lớn
– Mạch PFC, chỉnh lưu, bộ sạc công suất cao
– UPS và bộ nguồn dự phòng công nghiệp
– Điều khiển động cơ AC/DC, servo, bộ drive motor công suất lớn
– Máy hàn, biến áp xung, thiết bị công nghiệp cần IGBT chịu 600 V và dòng lớn
Xem thêm các mã IGBT khác tại đây



Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.