Giới thiệu về IXYH50N120C3D1
IXYH50N120C3D1 là một Transistor Lưỡng cực Cổng Cách ly (IGBT) được thiết kế bởi IXYS, được tối ưu hóa để cung cấp hiệu suất cao trong các ứng dụng yêu cầu dòng điện lớn và điện áp cao. Mô-đun này có khả năng xử lý dòng điện lên đến 90A và điện áp định mức 1200V, được đóng gói trong vỏ TO-247AD.

Đặc điểm IXYH50N120C3D1
- Hiệu suất chuyển mạch cao: Được thiết kế để giảm thiểu tổn thất chuyển mạch, giúp nâng cao hiệu quả hoạt động của hệ thống.
- Khả năng chịu nhiệt tốt: Thiết kế để hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao, đảm bảo độ tin cậy trong các môi trường làm việc khắc nghiệt.
- Tích hợp Diode Free-Wheeling: Hỗ trợ giảm tổn thất trong quá trình chuyển mạch và tăng hiệu quả hoạt động tổng thể.
Ứng dụng IXYH50N120C3D1
- Biến tần công suất lớn: Sử dụng trong các hệ thống biến tần yêu cầu công suất cao và độ tin cậy trong môi trường công nghiệp.
- Nguồn cung cấp điện công nghiệp: Được sử dụng trong các bộ nguồn cung cấp điện với yêu cầu hiệu suất cao và khả năng xử lý điện áp lớn.
- Điều khiển động cơ công nghiệp: Ứng dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ cần sự chính xác và độ bền cao.
Thông số kĩ thuật IXYH50N120C3D1
- Dòng điện định mức: 90 Ampe (A)
- Điện áp định mức: 1200 Volt (V)
- Gói: TO-247AD, là loại gói bán dẫn tiêu chuẩn với khả năng tản nhiệt tốt, thích hợp cho các ứng dụng công suất cao.

Sơ đồ chân IXYH50N120C3D1

Kích thước IXYH50N120C3D1

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây


Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.