Giới thiệu về MG150J1BS11
MG150J1BS11 là một module IGBT được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao, được sản xuất bởi Mitsubishi Electric. Module này thường được sử dụng trong các ứng dụng công nghiệp và ô tô, nơi yêu cầu khả năng chuyển mạch điện hiệu quả.

Đặc điểm MG150J1BS11
- Hiệu suất cao: Thiết kế để giảm thiểu tổn thất dẫn và tổn thất chuyển mạch, lý tưởng cho các ứng dụng tiết kiệm năng lượng.
- Thiết kế bền bỉ: Được chế tạo để chịu đựng nhiệt độ cao và áp lực cơ học, đảm bảo độ tin cậy lâu dài trong các môi trường khắc nghiệt.
- Diode tự do tích hợp: Cải thiện hiệu suất và giảm nhu cầu sử dụng các thành phần bổ sung trong thiết kế mạch.
- Kích thước nhỏ gọn: Mặc dù có công suất cao, module được thiết kế nhỏ gọn, cho phép dễ dàng tích hợp vào các không gian hẹp.
Thông số kĩ thuật MG150J1BS11
- Dòng điện định mức: 150A
- Điện áp định mức: 600V
- Cấu hình IGBT: Một IGBT với diode tự do (freewheeling diode)
- Loại gói: Module
- Điện áp cách ly: 2500V AC (trong 1 phút)
- Tần số chuyển mạch: Có thể hoạt động trong phạm vi phù hợp cho nhiều ứng dụng tần số cao
- Dải nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +150°C

Sơ đồ cấu tạo MG150J1BS11

Kích thước MG150J1BS11

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây


Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.