Mosfet kênh P LP3401LT1G kí hiệu A1 kiểu chân SOT23 điện áp 30V dòng điện 4.2A

1. Giới thiệu chung về MOSFET LP3401LT1G

LP3401LT1G là MOSFET kênh P (P-Channel Enhancement-Mode MOSFET) dạng SMD, được thiết kế cho các ứng dụng đóng cắt và quản lý nguồn trong thiết bị điện tử. Linh kiện có điện áp Drain–Source -30V, dòng Drain liên tục tối đa -4.2A trong điều kiện quy định và sử dụng kiểu vỏ SOT-23 (TO-236AB) nhỏ gọn.

Trên bề mặt LP3401LT1G sử dụng mã đánh dấu A1, giúp nhận dạng linh kiện khi kiểm tra, sửa chữa và thay thế trên bo mạch.

LP3401LT1G sử dụng công nghệ trench với mật độ cell cao nhằm đạt điện trở dẫn RDS(ON) thấp. Nhờ đó, MOSFET có thể giảm tổn hao khi hoạt động ở trạng thái dẫn và phù hợp với nhiều mạch đóng cắt nguồn DC điện áp thấp.

Sản phẩm dạng hàng mới phù hợp sử dụng trong sản xuất, thiết kế mạch hoặc thay thế MOSFET bị hỏng trên các bo mạch điện tử.

2. Đặc điểm của LP3401LT1G

LP3401LT1G có những đặc điểm nổi bật như:

• MOSFET loại P-Channel.
• Điện áp Drain–Source tối đa -30V.
• Dòng Drain liên tục tối đa -4.2A ở điều kiện quy định.
• Điện áp Gate–Source tối đa ±12V.
• Điện trở dẫn RDS(ON) thấp.
• RDS(ON) tối đa khoảng 70mΩ tại VGS = -10V.
• RDS(ON) tối đa khoảng 80mΩ tại VGS = -4.5V.
• RDS(ON) tối đa khoảng 120mΩ tại VGS = -2.5V.
• Điện áp ngưỡng Gate thấp.
• Khả năng chuyển mạch nhanh.
• Package SOT-23 nhỏ gọn.
• Phù hợp với công nghệ lắp ráp SMD/SMT.
• Nhiệt độ mối nối và lưu trữ từ -55°C đến +150°C.

Điện trở dẫn thấp là một ưu điểm quan trọng của LP3401LT1G, giúp giảm sụt áp và tổn hao công suất trên MOSFET khi được kích dẫn đúng điều kiện.

3. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

LP3401LT1G là MOSFET kênh P gồm ba cực chính:

Gate (G – cực cổng): nhận điện áp điều khiển trạng thái đóng/ngắt của MOSFET.

Source (S – cực nguồn): thường được kết nối về phía nguồn dương trong các ứng dụng đóng cắt high-side.

Drain (D – cực máng): kết nối với tải hoặc tầng mạch cần được điều khiển.

Theo sơ đồ chân của LP3401LT1G:

• Chân 1: Gate (G)
• Chân 2: Source (S)
• Chân 3: Drain (D)

Khác với transistor BJT cần dòng Base để điều khiển, MOSFET chủ yếu được điều khiển bằng điện áp giữa Gate và Source (VGS).

Với MOSFET kênh P, khi điện áp Gate thấp hơn Source một mức đủ lớn, MOSFET chuyển sang trạng thái dẫn và cho phép dòng điện đi qua đường Source–Drain.

Khi điện áp Gate tiến gần điện áp Source, MOSFET chuyển sang trạng thái khóa.

Đặc tính này khiến MOSFET kênh P đặc biệt thuận tiện trong các mạch đóng cắt nguồn phía dương (high-side switching).

4. Thông số kỹ thuật LP3401LT1G

5. Kích thước MOSFET LP3401LT1G SOT-23

6. Ứng dụng của LP3401LT1G

LP3401LT1G có thể được sử dụng trong nhiều loại mạch điện tử như:

• Mạch đóng/ngắt nguồn DC.
• Mạch công tắc nguồn high-side.
• Mạch quản lý nguồn.
• Mạch bảo vệ nguồn.
• Mạch bảo vệ ngược cực.
• Mạch quản lý và điều khiển pin.
• Thiết bị sử dụng pin.
• Mạch sạc pin.
• Mạch điều khiển LED.
• Mạch điều khiển tải DC.
• Bộ chuyển đổi DC-DC ở các vị trí phù hợp.
• Module nguồn điện áp thấp.
• Thiết bị điện tử cầm tay.
• Bo điều khiển công nghiệp.
• Thiết bị điện tử dân dụng.
• Các PCB cần MOSFET kênh P nhỏ gọn và điện trở dẫn thấp.

DATASHEET