RJH60F7, RJH60F7DPQ IGBT 90A/600V TO-3P mới

RJH60F7 là một mô-đun bán dẫn trong dòng sản phẩm của Renesas Electronics, chuyên cung cấp các giải pháp điện tử. Đây là một loại transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) loại n-channel, được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng yêu cầu khả năng chịu đựng dòng điện lớn và điện áp cao.

Các đặc điểm chính của RJH60F7

• Loại: MOSFET n-channel
• Điện áp cực đại (Vds): Khoảng 600V
• Dòng cực đại (Id): Khoảng 11A
• Rds(on): Thấp (tức là điện trở kênh khi MOSFET đang bật, giúp giảm tổn thất năng lượng)

Ứng dụng

• Chuyển mạch trong các thiết bị điện tử: RJH60F7 có thể được sử dụng trong các mạch chuyển mạch điện áp cao.
• Nguồn điện công suất: Đặc biệt trong các ứng dụng yêu cầu khả năng chịu đựng dòng điện lớn và điện áp cao như bộ nguồn công suất, bộ điều khiển động cơ, và các ứng dụng điện tử công nghiệp khác.

Thông số Kỹ thuật

1. Điện áp cực đại (Vds): 600V
2. Dòng cực đại (Id): 11A
3. Điện trở kênh khi bật (Rds(on)): 0.24Ω (tại Vgs = 10V)
4. Điện áp cổng-kênh tối thiểu để bật (Vgs(th)): 3.0V đến 5.0V
5. Dòng cổng tối đa (Ig): ±20mA
6. Công suất tỏa nhiệt tối đa (Pd): 94W (tại nhiệt độ môi trường 25°C, với điều kiện làm mát tốt)
7. Nhiệt độ hoạt động (Tj): -55°C đến +150°C
8. Tần số chuyển mạch cao: Được thiết kế cho các ứng dụng yêu cầu tần số chuyển mạch cao

Cấu tạo RJH60F7

Kích thước RJH60F7

Datasheet