Giới thiệu chung
MMUN2233LT1G là transistor NPN tiền phân cực (Pre-Biased Transistor) , được thiết kế cho các ứng dụng đóng cắt và điều khiển tín hiệu trong mạch điện tử. Linh kiện tích hợp sẵn điện trở phân cực bên trong, giúp giảm số lượng linh kiện bên ngoài và đơn giản hóa thiết kế mạch. MMUN2233LT1G có điện áp Collector-Emitter tối đa 50V, dòng Collector tối đa khoảng 100mA, phù hợp với các mạch điều khiển tín hiệu và tải công suất nhỏ. Việc tích hợp điện trở bên trong giúp linh kiện có thể được điều khiển trực tiếp từ các mạch logic hoặc tín hiệu điều khiển mà không cần bố trí thêm nhiều điện trở bên ngoài.
Linh kiện sử dụng kiểu đóng gói SOT-23 nhỏ gọn với 3 chân, phù hợp cho các bo mạch có không gian hạn chế và công nghệ lắp ráp SMT. Mã nhận dạng trên thân linh kiện là A8K, thuận tiện cho việc kiểm tra và phân biệt trong quá trình sửa chữa, lắp ráp.

Đặc điểm nổi bật
● Transistor NPN tiền phân cực.
● Điện áp Collector-Emitter tối đa: 50V.
● Dòng Collector tối đa: 100mA.
● Tích hợp điện trở phân cực bên trong.
● Giảm số lượng linh kiện phụ trợ bên ngoài.
● Đóng gói SOT-23 nhỏ gọn.
● Ký hiệu trên thân: A8K.
Cấu tạo
● Loại transistor: NPN Digital / Pre-Biased.
● Cấu trúc transistor lưỡng cực NPN.
● Tích hợp điện trở bên trong.
● Số chân: 3 chân.
● Kiểu đóng gói: SOT-23.
Thông số kỹ thuật

Kích thước

Ứng dụng
● Mạch điều khiển tín hiệu.
● Mạch chuyển mạch.
● Mạch driver.
● Mạch logic và giao tiếp.
● Mạch điều khiển tải nhỏ.
● Thiết bị điện tử dân dụng và công nghiệp.
Xem thêm: Nhiều mã sản phẩm khác tại đây


Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.