Transistor NSVBC817-40WT1G kí hiệu 5C kiểu chân SOT323 điện áp 45V dòng điện 0.5A

1. Giới thiệu chung về Transistor NSVBC817-40WT1G

NSVBC817-40WT1G là transistor lưỡng cực BJT loại NPN dạng dán SMD, được thiết kế cho các ứng dụng khuếch đại tín hiệu và đóng cắt tải công suất nhỏ trong mạch điện tử. Linh kiện sử dụng kiểu vỏ SOT-323 (SC-70) rất nhỏ gọn, phù hợp với những bo mạch cần tiết kiệm diện tích.

NSVBC817-40WT1G có điện áp Collector–Emitter tối đa 45V và dòng Collector tối đa 500mA (0.5A). Trên bề mặt linh kiện có thể sử dụng mã đánh dấu 5C để hỗ trợ nhận dạng trong quá trình kiểm tra và sửa chữa bo mạch.

Phiên bản “-40” thuộc nhóm có hệ số khuếch đại dòng DC tương đối cao, giúp transistor phù hợp với các tầng khuếch đại và điều khiển cần độ lợi dòng tốt.

2. Đặc điểm của NSVBC817-40WT1G

NSVBC817-40WT1G có những đặc điểm chính như:

• Transistor lưỡng cực BJT loại NPN.
• Điện áp Collector–Emitter tối đa 45V.
• Dòng Collector tối đa 0.5A (500mA).
• Phiên bản phân nhóm độ lợi BC817-40.
• Kích thước rất nhỏ với package SOT-323/SC-70.
• Linh kiện dạng SMD phù hợp lắp ráp SMT.
• Có khả năng khuếch đại tín hiệu dòng nhỏ.
• Có thể hoạt động như công tắc điện tử.
• Phù hợp với mạch điều khiển tải công suất nhỏ.
• Tiết kiệm diện tích PCB so với các transistor có package lớn hơn.

Nhờ kết hợp khả năng chịu dòng tới 500mA với kích thước nhỏ, NSVBC817-40WT1G được sử dụng trong nhiều bo mạch điều khiển và thiết bị điện tử nhỏ gọn.

3. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

NSVBC817-40WT1G là transistor NPN, được cấu tạo từ ba lớp vật liệu bán dẫn tạo thành cấu trúc N-P-N. Linh kiện có ba cực chính:

Base (B – cực gốc): nhận dòng điện điều khiển transistor.

Collector (C – cực góp): thường kết nối với tải hoặc nguồn thông qua tải.

Emitter (E – cực phát): tạo đường dẫn dòng điện với Collector khi transistor được kích hoạt.

Nguyên lý hoạt động của NSVBC817-40WT1G dựa trên việc sử dụng một dòng điện nhỏ tại cực Base để điều khiển dòng điện lớn hơn chạy qua Collector và Emitter.

Khi điện áp giữa Base và Emitter đạt mức phân cực thuận phù hợp, transistor bắt đầu dẫn. Dòng Collector khi đó phụ thuộc vào điều kiện phân cực, tải và hệ số khuếch đại dòng của transistor.

Khi không còn dòng kích thích thích hợp tại Base, transistor chuyển về trạng thái khóa và hạn chế dòng điện chạy qua Collector–Emitter.

Nhờ nguyên lý này, NSVBC817-40WT1G có thể được sử dụng cho cả khuếch đại tín hiệu và đóng cắt điện tử.

4. Thông số kỹ thuật NSVBC817-40WT1G

5. Kích thước NSVBC817-40WT1G SOT-323

6. Ứng dụng của Transistor NSVBC817-40WT1G

NSVBC817-40WT1G có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng như:

• Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ.
• Mạch đóng cắt transistor.
• Mạch điều khiển LED.
• Mạch driver tải dòng nhỏ.
• Mạch điều khiển relay nhỏ khi dòng cuộn dây phù hợp.
• Mạch tạo và xử lý xung.
• Mạch logic sử dụng transistor.
• Mạch chuyển mức tín hiệu.
• Tầng đệm giữa vi điều khiển và tải.
• Mạch quản lý nguồn.
• Bo nguồn và bo điều khiển.
• Thiết bị đo lường điện tử.
• Thiết bị điện tử dân dụng.
• Thiết bị điều khiển công nghiệp.
• Các PCB có yêu cầu kích thước linh kiện rất nhỏ.

DATASHEET