UTC11NM60L Mosfet kênh N 11A 600V TO-220F

UTC11NM60L là MOSFET công suất kênh N, 600V, 11A, sử dụng công nghệ Super-Junction của Unisonic Technologies (UTC). Linh kiện được thiết kế cho các mạch điện tử công suất cần khả năng chịu điện áp cao, chuyển mạch nhanh và điện trở dẫn thấp.

UTC 11NM60 có cấu trúc Super-Junction và được UTC định hướng cho các ứng dụng như nguồn xung hiệu suất cao, ballast đèn điện tử, mạch half-bridge và Active PFC. Phiên bản 11NM60L-TF3-T sử dụng vỏ TO-220F, với thứ tự chân G-D-S.

Thông số kỹ thuật UTC11NM60L

Thông số	Giá trị
Mã linh kiện	UTC11NM60L / 11NM60L
Loại	MOSFET công suất kênh N
Công nghệ	Super-Junction
Điện áp Drain-Source (VDSS)	600V
Dòng Drain liên tục (ID)	11A
Điện áp Gate-Source (VGSS)	±30V
RDS(on)	≤ 0,42Ω tại VGS = 10V, ID = 5,5A
Kiểu vỏ	TO-220F
Pinout	G – D – S
Chuyển mạch	Tốc độ cao
Avalanche	Được kiểm tra 100%
Nhiệt độ mối nối	Tối đa khoảng 150°C
Kiểu lắp	Through-Hole

 

Các thông số trên được lấy từ tài liệu kỹ thuật của UTC; cần lưu ý rằng giới hạn dòng và công suất thực tế phụ thuộc đáng kể vào nhiệt độ vỏ, tản nhiệt và điều kiện làm việc.

UTC11NM60L là gì?

UTC11NM60L là MOSFET công suất kênh N (N-Channel Power MOSFET) dùng để đóng cắt dòng điện trong các mạch điện tử công suất.

MOSFET có ba cực chính:

• G – Gate: cực điều khiển.
• D – Drain: cực thoát.
• S – Source: cực nguồn.

Khi điện áp Gate-Source đạt mức phù hợp, MOSFET chuyển sang trạng thái dẫn, tạo đường dẫn dòng điện giữa Drain và Source. Khi tín hiệu điều khiển được đưa về mức tắt, MOSFET ngắt dòng.

Với khả năng chịu 600V giữa Drain và Source và dòng danh định 11A, UTC11NM60L phù hợp với các mạch nguồn sử dụng điện áp DC cao sau chỉnh lưu AC.

Công nghệ Super-Junction

Một điểm đáng chú ý của UTC11NM60L là cấu trúc Super-Junction MOSFET. Theo datasheet UTC, cấu trúc này được sử dụng nhằm đạt được đặc tính chuyển mạch tốt và giảm điện trở dẫn khi MOSFET hoạt động. Linh kiện cũng được thiết kế với khả năng chịu avalanche cao và được kiểm tra avalanche 100%.

Nhờ đó, UTC11NM60L có thể đáp ứng tốt các ứng dụng yêu cầu MOSFET công suất cao hoạt động ở tần số chuyển mạch tương đối lớn.

Chức năng của UTC11NM60L

1. Đóng cắt nguồn công suất

Chức năng quan trọng nhất của UTC11NM60L là đóng và ngắt dòng điện công suất theo tín hiệu điều khiển tại chân Gate.

Trong nguồn xung, MOSFET thường hoạt động như một công tắc điện tử. Việc chuyển đổi nhanh giữa trạng thái ON và OFF giúp truyền năng lượng từ nguồn sang tải theo phương thức chuyển mạch.

2. Điều khiển công suất

MOSFET có thể được sử dụng để điều khiển năng lượng đưa tới biến áp, cuộn cảm hoặc tải. Đây là nguyên lý quan trọng trong các bộ nguồn AC-DC, DC-DC và các mạch nghịch lưu.

3. Chuyển mạch tần số cao

Nhờ cấu trúc Super-Junction và đặc tính chuyển mạch nhanh, UTC11NM60L phù hợp với các thiết kế nguồn xung cần giảm tổn hao chuyển mạch. UTC cũng xác định sản phẩm cho các ứng dụng high-efficiency switched-mode power supplies.

4. Sử dụng trong mạch PFC

UTC11NM60L có thể được sử dụng trong tầng Active Power Factor Correction (PFC) của bộ nguồn. Trong cấu trúc này, MOSFET đóng vai trò phần tử chuyển mạch công suất phối hợp với cuộn cảm, diode và mạch điều khiển PFC.

Ứng dụng của UTC11NM60L

UTC11NM60L được thiết kế cho nhiều ứng dụng điện tử công suất, đặc biệt là:

• Nguồn xung SMPS
• Nguồn AC-DC
• Nguồn DC-DC
• Mạch Active PFC
• Mạch Half-Bridge
• Ballast điện tử cho đèn
• Mạch inverter
• Bộ chuyển đổi công suất
• Thiết bị điện tử công nghiệp
• Các bộ nguồn cần MOSFET 600V

Theo tài liệu UTC, 11NM60 được ứng dụng trong electronic lamp ballast, half-bridge, high-efficiency SMPS và active PFC.

Ưu điểm nổi bật của UTC11NM60L

Chịu điện áp cao 600V

Mức VDSS 600V cho phép MOSFET làm việc trong các mạch công suất có điện áp cao. Đây là mức điện áp thường gặp trong tầng công suất của nhiều bộ nguồn AC-DC sau khi điện áp AC được chỉnh lưu.

Dòng điện 11A

Khả năng chịu dòng Drain danh định 11A giúp linh kiện đáp ứng nhiều thiết kế nguồn công suất vừa và lớn. Tuy nhiên, dòng thực tế phải được tính toán dựa trên nhiệt độ và điều kiện tản nhiệt.

RDS(on) thấp

UTC công bố RDS(on) ≤ 0,42Ω tại VGS = 10V và ID = 5,5A. RDS(on) thấp giúp giảm tổn hao dẫn khi MOSFET ở trạng thái ON.

Chuyển mạch nhanh

Đặc tính chuyển mạch nhanh là ưu điểm quan trọng khi sử dụng MOSFET trong nguồn xung. Chuyển mạch nhanh có thể giúp giảm thời gian MOSFET hoạt động ở vùng tổn hao chuyển tiếp giữa ON và OFF.

Vỏ TO-220F cách điện

Phiên bản 11NM60L-TF3-T sử dụng vỏ TO-220F và có pinout G-D-S. Vỏ TO-220F thuận tiện cho việc lắp đặt trên PCB và thiết kế tản nhiệt.

Sơ đồ chân UTC11NM60L

Đối với phiên bản 11NM60L TO-220F, thứ tự chân được UTC công bố là:

Chân 1 – G (Gate)
Chân 2 – D (Drain)
Chân 3 – S (Source)

Cần kiểm tra đúng mã hậu tố của linh kiện trước khi thay thế, vì dòng 11NM60 có thể tồn tại ở nhiều dạng vỏ khác nhau như TO-220, TO-220F, TO-220F1, TO-251 và TO-252.

Lưu ý khi sử dụng UTC11NM60L

Không vượt quá 600V Drain-Source

Điện áp giữa Drain và Source không được vượt quá giới hạn VDSS 600V. Trong các mạch nguồn xung, cần đặc biệt chú ý đến các xung áp phát sinh khi MOSFET đóng/ngắt.

Điều khiển Gate đúng điện áp

Thông số RDS(on) được UTC xác định tại VGS = 10V, do đó cần thiết kế mạch driver Gate phù hợp. Không nên đánh giá khả năng dẫn dòng chỉ dựa trên thông số dòng 11A mà bỏ qua điện áp điều khiển Gate.

Chú ý tản nhiệt

Tổn hao của MOSFET bao gồm tổn hao dẫn và tổn hao chuyển mạch. Khi công suất tăng, nhiệt độ mối nối có thể tăng nhanh. Vì vậy cần tính toán tản nhiệt, diện tích đồng PCB và điều kiện thông gió phù hợp.

Kiểm tra linh kiện thay thế

Nếu sử dụng UTC11NM60L để thay cho một MOSFET khác, cần kiểm tra tối thiểu các thông số:

• VDSS
• ID
• RDS(on)
• VGS
• Gate charge
• Công suất tổn hao
• Pinout
• Loại vỏ
• Đặc tính chuyển mạch

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Mosfet khác tại đây

Datasheet UTC11NM60L