Giới thiệu về SIF9N90S
Power MOSFET này được sản xuất bằng công nghệ DMOS sọc phẳng tiên tiến của KIA. Công nghệ tiên tiến này đã được thiết kế đặc biệt để giảm thiểu điện trở trạng thái, mang lại hiệu suất chuyển mạch vượt trội và chịu được xung năng lượng cao ở chế độ tuyết lở và chuyển mạch. Các thiết bị này rất phù hợp với các nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ hiệu quả cao, hiệu chỉnh hệ số công suất chủ động dựa trên cấu trúc liên kết nửa cầu.

Đặc trưng kỹ thuật
- RDS(bật)=1,050 @ VGS=10 V
- Phí cổng thấp (điển hình là 70 nC)
- Độ chắc chắn cao
- Chuyển đổi nhanh
- Đã thử nghiệm tuyết lở 100%
- Cải thiện khả năng dv/ dt
- ESD Cải thiện khả năng
Thông số kỹ thuật

Sơ đồ cấu tạo

Ứng dụng


Kích thước SIF9N90S

Xem thêm: Các mã Mosfet khác


Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.