4N60L-B-TN3-R 600V Mosfet kênh N 4A TO-252

Giới thiệu về Mosfet 4N60L-B-TN3-R

4N60L-B-TN3-R là một Mosfet kênh N với điện áp chịu được tối đa 600V và dòng điện định mức lên tới 4A, được sản xuất trong gói TO-252. Mosfet này được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng công suất cao, bao gồm điều khiển động cơ, nguồn điện, các bộ chuyển mạch và các mạch điều khiển trong các thiết bị điện tử và công nghiệp. Với đặc tính dòng điện lớn và điện áp cao, 4N60L-B-TN3-R là lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu độ bền cao và hiệu suất đáng tin cậy.

Nguyên lý hoạt động của Mosfet 4N60L-B-TN3-R

Mosfet 4N60L-B-TN3-R hoạt động dựa trên nguyên lý của transistor bán dẫn hiệu ứng trường (FET), với cổng (Gate) điều khiển dòng điện giữa nguồn (Source) và cực (Drain). Trong trường hợp của Mosfet kênh N, khi một điện áp dương đủ lớn được áp dụng vào cổng, nó tạo ra một kênh dẫn điện giữa cực Drain và Source, cho phép dòng điện chảy qua. Mosfet này có khả năng chuyển mạch nhanh chóng và có độ ổn định cao, giúp điều khiển chính xác và hiệu quả các tải công suất.

Đặc trưng kỹ thuật 4N60L

• Vds(V)=600V
• Id = 4.0A
• Rds(ON) ≤ 2.4 Ω (VGS= 10V)

Thông số kỹ thuật

Sơ đồ chân 

Sơ đồ cấu tạo 

Kích thước 4N60L

Xem thêm: Các mã Mosfet khác

Datasheet 4N60L