E47N50 STE47N50 MOSFET công suất kênh N 47A 500V tháo máy

Giới thiệu chung

STE47N50 là MOSFET công suất kênh N được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch điện áp cao và dòng tải lớn. Thiết bị có khả năng chịu điện áp lên tới 500V và dòng dẫn 47A, tích hợp công nghệ Avalanche Rugged giúp hoạt động ổn định trong điều kiện khắc nghiệt. MOSFET có điện trở Rds(on) thấp giúp giảm tổn hao nhiệt, hiệu suất cao, phù hợp cho các bộ nguồn xung, inverter và điều khiển tải công suất. Đóng gói dạng ISOTOP cho khả năng tản nhiệt tuyệt vời và dễ dàng lắp đặt trong các hệ thống công nghiệp.

Đặc điểm

• MOSFET kênh N công suất cao.

• Điện áp chịu đựng V_DSS lên đến 500V.

• Dòng dẫn liên tục I_D đạt 47A.

• Điện trở Rds(on) thấp (< 0.1Ω) giúp giảm hao tổn.

• Công nghệ Avalanche Rugged bền bỉ.

• SOA (Safe Operating Area) rộng – chịu đỉnh công suất lớn.

• Độ cảm ứng ký sinh rất thấp (< 5nH).

• Dễ dàng tản nhiệt, lắp đặt.

• Đóng gói ISOTOP cách điện, được UL công nhận.

Cấu tạo

• Cấu trúc MOSFET kênh N.

• Lớp bán dẫn hiệu suất cao.

• Đóng gói dạng ISOTOP 4 chân:

  • Chân Drain (D).

  • Chân Source (S) kép với khả năng dẫn dòng đều.

  • Chân Gate (G).

• Tấm kim loại tản nhiệt phía sau.

• Cách điện giữa lớp bán dẫn và tản nhiệt.

• Vỏ chịu nhiệt, chắc chắn, phù hợp công nghiệp.

Sơ đồ chân và sơ đồ cấu tạo

Thông số kỹ thuật

Kích thước 

Ứng dụng

• Bộ nguồn xung (SMPS, PFC).

• Inverter (biến tần).

• UPS, bộ lưu điện.

• Điều khiển động cơ công suất.

• Mạch chuyển mạch công suất cao.

• Hệ thống công nghiệp, tự động hóa.

• Thiết bị hàn, kích điện.

• Bộ điều khiển năng lượng tái tạo (solar, wind).

Xem thêm các Mosfet khác tại đây 

Datasheet