Giới thiệu chung
IRF100B201 N-Channel MOSFET TO-220 là MOSFET kênh N công suất cao được thiết kế cho các ứng dụng đóng cắt tải, nguồn xung và điều khiển động cơ. Linh kiện có dòng dẫn lớn lên đến 192A, điện áp chịu đựng 100V cùng điện trở dẫn thấp giúp giảm tổn hao công suất và tăng hiệu suất hoạt động.

Đặc điểm nổi bật
- MOSFET kênh N công suất cao
- Dòng tải lớn lên đến 192A
- Điện trở dẫn RDS(on) thấp
- Tốc độ đóng cắt nhanh
- Hiệu suất cao, tổn hao thấp
- Khả năng chịu dòng xung lớn
- Dễ tản nhiệt với vỏ TO-220
- Tương thích nhiều mạch nguồn và công suất
Thông số kỹ thuật chính
- Model: IRF100B201
- Loại transistor: N-Channel MOSFET
- Điện áp Drain-Source (VDS): 100V
- Dòng Drain liên tục (ID): 192A
- Điện áp Gate-Source (VGS): ±20V
- Điện trở dẫn RDS(on): thấp
- Công suất tiêu tán: cao
- Kiểu đóng gói: TO-220

Sơ đồ chân TO-220
- Gate
- Drain
- Source

Ứng dụng
- Nguồn xung công suất lớn
- Bộ chuyển đổi DC-DC
- Điều khiển động cơ
- Inverter
- UPS
- Mạch kích MOSFET
- Điều khiển tải công suất cao
- Thiết bị công nghiệp và tự động hóa
- Mạch pin năng lượng mặt trời
- Bộ sạc công suất lớn
Kích thước IRF100B201

Datasheet IRF100B201



Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.