Giới thiệu chung
IRF5305 là một MOSFET kênh P. Linh kiện này có khả năng chịu điện áp Drain-Source (Vds) tối đa 55V, dòng dẫn liên tục Id lên đến 31A, được thiết kế chuyên dụng cho các mạch chuyển mạch công suất thấp đến trung bình. Với vỏ TO-220, IRF5305 dễ dàng lắp đặt và tản nhiệt, thích hợp dùng trong nguồn xung, mạch điều khiển tải, và mạch DC-DC.
Đặc điểm
-
Loại: P-Channel MOSFET.
-
Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)) thấp, dễ điều khiển bằng vi điều khiển.
-
Điện trở dẫn kênh Rds(on) thấp → giảm tổn hao nhiệt.
-
Đóng cắt nhanh, hiệu suất cao.
-
Có khả năng chịu dòng lớn, phù hợp mạch nguồn công suất.
Cấu tạo
-
Vỏ TO-220 với 3 chân:
-
G (Gate): cực điều khiển.
-
D (Drain): cực máng.
-
S (Source): cực nguồn.
-
-
Bên trong gồm lớp bán dẫn kênh P, có khả năng đóng cắt dòng điện khi áp đặt điện áp Vgs.
-
Có lớp kim loại gắn tản nhiệt phía sau để gắn vào heatsink.
Sơ đồ chân và sơ đồ cấu tạo
Thông số kỹ thuật
Kích thước
Ứng dụng
-
Mạch nguồn xung, bộ nguồn DC-DC.
-
Mạch đảo chiều động cơ DC.
-
Điều khiển tải công suất cao (đèn, motor, cuộn dây).
-
Chuyển mạch công suất trong các hệ thống điện tử công nghiệp.
-
UPS, inverter năng lượng tái tạo.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.