IRGP35B60PD GP35B60PD Mosfet Kênh N TO-247 (tháo máy)

 Giới thiệu về GP35B60PD

• IRGP35B60PD là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) do Infineon sản xuất.

• Là loại IGBT Punch-Through, kết hợp ưu điểm của MOSFET và BJT.

• Có diode hồi tiếp nhanh tích hợp sẵn.

• Dùng trong các mạch công suất cao và tốc độ chuyển mạch khá nhanh.

Thông số kỹ thuật của GP35B60PD

• Điện áp chịu đựng (V_CES): 600V

• Dòng điện liên tục (I_C): 35A (tại 100°C)

• Dòng điện xung cực đại (I_CM): ~70A

• Điện áp điều khiển cổng (V_GE): ±20V

• Tổn hao chuyển mạch thấp, hiệu suất cao

• Gói linh kiện: TO-247 (3 chân)

• Có diode fast recovery tích hợp để hoạt động ở chế độ đảo chiều dòng điện

Ứng dụng của GP35B60PD

• Biến tần điều khiển động cơ AC

• Bộ chuyển đổi DC-AC, DC-DC

• Bộ lưu điện UPS

• Nguồn xung (SMPS)

• Inverter năng lượng mặt trời

• Máy hàn điện tử

• Bộ điều tốc động cơ (motor drives)

 Ưu điểm của GP35B60PD

• Hiệu suất cao, chịu tải lớn

• Tích hợp diode giúp đơn giản hóa mạch

• Tin cậy trong môi trường nhiệt độ cao

• Dễ thay thế nhờ chuẩn TO-247

Sơ đồ chân của GP35B60PD

Kích thước của GP35B60PD

Datasheet