K3919, 2SK3919 Mosfet Kênh-N 25V/64A TO-252

Giới thiệu về 2SK3919

2SK3919 là một loại MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) thuộc dòng n-channel, được sản xuất bởi Toshiba. Đây là một MOSFET công suất, thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng cần khả năng chuyển mạch nhanh và công suất lớn.

Đặc trưng kỹ thuật 

• Khả Năng Xử Lý Dòng Cao: Với khả năng xử lý dòng điện cao lên tới 64A, K3919 rất phù hợp cho các ứng dụng công suất lớn.
• Điện Áp Cực Đại Tốt: Với điện áp cực đại 25V, nó phù hợp cho các mạch yêu cầu điện áp hoạt động thấp đến trung bình.
• Chuyển Mạch Nhanh: MOSFET K3919 có khả năng chuyển mạch nhanh, rất phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu tốc độ chuyển mạch cao.
• Điện Trở Kênh Thấp Khi Bật: Điện trở kênh thấp giúp giảm tổn thất công suất trong mạch.

Thông số kỹ thuật

• Điện Áp Cực Đại (V_DS):
  • Điện áp cực đại: 25V
  • Đây là điện áp tối đa mà MOSFET có thể chịu đựng giữa cực nguồn (Drain) và cực thoát (Source) khi MOSFET không dẫn.
• Dòng Điện Cực Đại (I_D):
  • Dòng điện cực đại: 64A
  • Đây là dòng điện tối đa mà MOSFET có thể dẫn khi ở trạng thái mở (on). Dòng điện cao cho phép MOSFET xử lý công suất lớn trong các ứng dụng công suất cao.
• Công Suất Tiêu Thụ (P_D):
  • Công suất tiêu thụ: 94W (tại tản nhiệt tốt)
  • Đây là công suất tối đa mà MOSFET có thể tiêu thụ mà không gây quá nhiệt. Công suất tiêu thụ có thể thay đổi tùy thuộc vào điều kiện làm việc và hệ thống tản nhiệt.
• Điện Áp Cổng Tới Nguồn (V_GS(th)):
  • Điện áp kích thích: Khoảng 2.0V đến 4.0V
  • Đây là điện áp cần thiết để chuyển MOSFET từ trạng thái không dẫn (off) sang trạng thái dẫn (on).
• Điện Trở Kênh Khi Bật (R_DS(on)):
  • Điện trở kênh thấp: Khoảng 0.03Ω (tại V_GS = 10V)
  • Điện trở kênh thấp khi MOSFET dẫn giúp giảm tổn thất công suất và cải thiện hiệu suất mạch.

Sơ đồ cấu tạo

Kích thước 2SK3919

Xem thêm: Các mã Mosfet khác

Datasheet 2SK3919