K6R4008V1D-UI10 IC Cmos Sram tĩnh tốc độ cao 512K x 8 bit TSOP-14

Giới thiệu chung K6R4008V1D-UI10

• K6R4008V1D-UI10 là IC bộ nhớ tĩnh tốc độ cao (High Speed Static RAM) 512K x 8 bit (tổng dung lượng 4Mbit), được thiết kế chuyên biệt cho các ứng dụng đòi hỏi khả năng truy xuất nhanh, ổn định và tiêu thụ năng lượng thấp
• Hoạt động với điện áp 3.3V, phù hợp cho các thiết bị sử dụng nguồn điện thấp hiện đại
• Bộ nhớ hoàn toàn tĩnh (Fully Static Operation), không yêu cầu xung clock hay chu kỳ làm tươi, đơn giản hóa thiết kế hệ thống
• Tương thích chuẩn TTL ở cả đầu vào và đầu ra, hỗ trợ tích hợp linh hoạt với nhiều loại vi điều khiển và hệ thống nhúng
• Sử dụng công nghệ CMOS tiên tiến của Samsung, đạt hiệu suất cao và đáng tin cậy
• Có thể hoạt động ổn định trong cả dải nhiệt độ thương mại và công nghiệp, thích hợp cho nhiều môi trường khắc nghiệt

Đặc điểm kỹ thuật K6R4008V1D-UI10

• Loại bộ nhớ: Static RAM (SRAM) tốc độ cao
• Tổ chức bộ nhớ: 512K từ x 8 bit (524,288 x 8)
• Dung lượng: 4,194,304 bit (4Mbit)
• Thời gian truy cập: 8ns (K6R4008V1D-08), 10ns (K6R4008V1D-10)
• Điện áp hoạt động: 3.3V ± 0.3V
• Dòng tiêu thụ khi hoạt động: tối đa 80mA (08), 65mA (10)
• Dòng tiêu thụ chế độ chờ: tối đa 20mA (TTL), 5mA (CMOS)
• Ba trạng thái đầu ra, cho phép kết nối bus dữ liệu chung
• Không cần clock hoặc refresh, hoạt động hoàn toàn tĩnh
• Tương thích TTL, phù hợp với nhiều hệ thống logic

Đóng gói K6R4008V1D-UI10

• Kiểu đóng gói: TSOP-II 44 chân (Lead-Free, mã -U)
• Kích thước thân: chuẩn 400 mils
• Dòng sản phẩm còn có các biến thể khác như SOJ-36 (mã -J), TSOP-II chuẩn (mã -T)
• Cấu hình chân nguồn và mass bố trí trung tâm, tối ưu layout PCB

Ứng dụng K6R4008V1D-UI10

• Bộ nhớ tạm thời cho hệ thống nhúng, router, set-top box
• Thiết bị điều khiển công nghiệp, đo lường và thu thập dữ liệu
• Máy in, đầu ghi hình DVR, thiết bị truyền hình kỹ thuật số
• Các hệ thống yêu cầu bộ nhớ truy xuất tốc độ cao với điện năng thấp
• Thiết kế hoạt động ổn định trong môi trường nhiệt độ khắc nghiệt từ thương mại đến công nghiệp