M29W160EB IC Nhớ 16Mbit 3V TSOP48

Giới thiệu về IC M29W160EB

M29W160E là bộ nhớ không mất dữ liệu 16 Mbit (2Mb x8 hoặc 1Mb x16) có thể đọc, xóa và lập trình lại. Các hoạt động này có thể được thực hiện bằng cách sử dụng nguồn điện áp thấp duy nhất (2,7 đến 3,6V). Khi bật nguồn, bộ nhớ mặc định ở chế độ Đọc, tại đó bộ nhớ có thể được đọc theo cùng cách như ROM hoặc EPROM. Bộ nhớ được chia thành các khối có thể được tạo độc lập để có thể bảo toàn dữ liệu hợp lệ trong khi dữ liệu cũ bị xóa. Mỗi khối có thể được bảo vệ độc lập để ngăn các lệnh Lập trình hoặc Xóa vô tình sửa đổi bộ nhớ. Các lệnh Lập trình và Xóa được ghi vào Giao diện Lệnh của bộ nhớ.

Khối khởi động 16 KByte có thể được sử dụng cho mã khởi tạo nhỏ để khởi động bộ vi xử lý, hai Khối tham số 8 KByte có thể được sử dụng để lưu trữ tham số và 32K còn lại là Khối chính nhỏ nơi ứng dụng có thể được lưu trữ. Các tín hiệu Chip Enable, Output Enable và Write Enable kiểm soát hoạt động bus của bộ nhớ. Chúng cho phép kết nối đơn giản với hầu hết các bộ vi xử lý, thường không cần logic bổ sung. Bộ nhớ được cung cấp các gói TSOP48 (12 x 20mm). Bộ nhớ được cung cấp với tất cả các bit đã xóa (đặt thành ‘1’).

Đặc trưng kỹ thuật

• ĐIỆN ÁP CUNG CẤP
  –VCC =2,7V đến 3,6V để Lập trình, Xóa và Đọc
• THỜI GIAN TRUY CẬP: 70, 90ns
• THỜI GIAN LẬP TRÌNH
  –10μs cho mỗi Byte/Từ thông thường
• 35 KHỐI BỘ NHỚ
  –1 Khối khởi động (Vị trí trên cùng hoặc dưới cùng)
  –2 Tham số và 32 Khối chính
• BỘ ĐIỀU KHIỂN CHƯƠNG TRÌNH/XÓA
  –Thuật toán chương trình Byte/Từ nhúng
• CHẾ ĐỘ TẠM DỪNG XÓA và TIẾP TỤC
  –Đọc và Lập trình Khối khác trong khi Tạm dừng Xóa
• LỆNH BỎ QUA CHƯƠNG TRÌNH
  –Lập trình sản xuất/hàng loạt nhanh hơn
• CHẾ ĐỘ KHÔNG BẢO VỆ KHỐI TẠM THỜI
• GIAO DIỆN FLASH CHUNG
  –Mã bảo mật 64 bit
• TIÊU THỤ ĐIỆN NĂNG THẤP
  –Chế độ chờ và chế độ chờ tự động
• 100.000 CHU KỲ XÓA/CHƯƠNG TRÌNH CHO MỖI KHỐI

Thông số kỹ thuật

Sơ đồ logic

Khối lệnh 

Sơ đồ chân

Kích thước IC M29W160EB

Xem thêm: Nhiều sản phẩm IC nguồn khác

Datasheet M29W160EB