18N50 FDA18N50 Mosfet kênh N 500V 19A TO-3P Tháo máy
10,500₫
Mã sản phẩm: 18N50
Loại linh kiện: Mosfet
Công suất: 500V/19A
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Tháo Máy
Tình trạng: Còn hàng
Vị trí: 33-14
Đã cập nhật
Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh 1: 0333595662
Kinh doanh 2: 0372770860
Kĩ thuật viên sửa chữa: 0979578581 (Kiên)
(Giờ làm việc: Buổi sáng: 7:30-12:00, Buổi chiều: 13:30-18:00 từ Thứ 2 đến thứ 7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu từ 50.000 vnđ. Đơn hàng chưa bao gồm phí vận chuyển (đội ngũ nhân viên lên đơn sẽ liên hệ với khách hàng thông báo chi phí vận chuyển khi đơn hàng được đặt thành công).
Kinh doanh 1: 0333595662
Kinh doanh 2: 0372770860
Kĩ thuật viên sửa chữa: 0979578581 (Kiên)
(Giờ làm việc: Buổi sáng: 7:30-12:00, Buổi chiều: 13:30-18:00 từ Thứ 2 đến thứ 7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu từ 50.000 vnđ. Đơn hàng chưa bao gồm phí vận chuyển (đội ngũ nhân viên lên đơn sẽ liên hệ với khách hàng thông báo chi phí vận chuyển khi đơn hàng được đặt thành công).
Giới thiệu về FDA18N50
FDA18N50 là một MOSFET kênh N được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao, đặc biệt trong các bộ nguồn chuyển mạch và mạch hiệu chỉnh hệ số công suất. Dưới đây là các đặc điểm nổi bật, thông số kỹ thuật chi tiết và ứng dụng của FDA18N50:
Đặc điểm nổi bật
- Điện áp và dòng điện cao: Khả năng chịu điện áp giữa Drain và Source (V<sub>DSS</sub>) lên đến 500V và dòng Drain liên tục (I<sub>D</sub>) tối đa 19A, phù hợp cho các ứng dụng công suất cao.
- Điện trở Drain-Source thấp: Điện trở R<sub>DS(on)</sub> tối đa 0,265Ω tại V<sub>GS</sub> = 10V, giúp giảm thiểu tổn thất điện năng.
- Thời gian chuyển mạch nhanh: Với điện tích cổng (Q<sub>g</sub>) điển hình là 45nC và điện dung ngược (C<sub>rss</sub>) điển hình là 25pF, MOSFET này cho phép chuyển mạch nhanh chóng và hiệu quả.
- Khả năng chịu đựng avalanche: Được thiết kế để chịu được các xung điện áp cao đột ngột, tăng độ tin cậy trong các ứng dụng khắc nghiệt.
Thông số kỹ thuật FDA18N50
- Điện áp Drain-Source (V<sub>DSS</sub>): 500V
- Dòng Drain liên tục (I<sub>D</sub>): 19A
- Điện trở Drain-Source (R<sub>DS(on)</sub>): 0,265Ω tại V<sub>GS</sub> = 10V
- Điện áp Gate-Source tối đa (V<sub>GS</sub>): ±30V
- Điện tích cổng (Q<sub>g</sub>): 45nC
- Công suất tiêu tán (P<sub>D</sub>): 239W
- Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C
Ứng dụng
- Nguồn cung cấp chuyển mạch (SMPS): FDA18N50 được sử dụng rộng rãi trong các bộ nguồn chuyển mạch hiệu suất cao, nơi yêu cầu điện áp và dòng điện lớn.
- Mạch hiệu chỉnh hệ số công suất (PFC): Với khả năng chuyển mạch nhanh và chịu được điện áp cao, MOSFET này thích hợp cho các mạch PFC trong các thiết bị điện tử công suất.
- Bộ chuyển đổi DC-DC: FDA18N50 được ứng dụng trong các bộ chuyển đổi DC-DC yêu cầu hiệu suất cao và độ tin cậy.
Sơ đồ chân FDA18N50
Kích thước FDA18N50
Xem thêm: Các mã Mosfet khác
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.