Giới thiệu chung
5R299P là MOSFET kênh N công suất cao, đóng gói dạng TO-247, được thiết kế cho các ứng dụng yêu cầu điện áp chịu đựng lớn, dòng dẫn cao và hiệu suất chuyển mạch tốt. Linh kiện này sử dụng công nghệ bán dẫn tối ưu giúp giảm điện trở dẫn Rds(on), hạn chế tổn hao công suất và nâng cao độ tin cậy khi hoạt động ở môi trường khắc nghiệt.
Đặc điểm
-
MOSFET kênh N hiệu suất cao, điện áp chịu đựng lên tới 500 V.
-
Điện trở dẫn thấp, giảm tổn hao nhiệt khi tải lớn.
-
Chuyển mạch nhanh, phù hợp cho mạch tần số cao.
-
Khả năng chịu dòng xung lớn, thích hợp cho tải nặng.
-
Độ tin cậy cao, hoạt động ổn định trong dải nhiệt độ rộng.
Cấu tạo
-
Ba cực: Gate (G), Drain (D), Source (S).
-
Công nghệ Super-Junction tối ưu hóa khả năng dẫn và hiệu suất.
-
Vỏ TO-247 cho khả năng tản nhiệt tốt, dễ lắp vào tản nhiệt công suất.
Sơ đồ chân và sơ đồ cấu tạo
Thông số kĩ thuật
Kích thước
Ứng dụng
-
Bộ nguồn xung (SMPS), bộ nghịch lưu (inverter).
-
Bộ điều khiển và truyền động động cơ.
-
Hệ thống năng lượng tái tạo như điện mặt trời.
-
Thiết bị hàn, bộ chuyển đổi DC-DC công suất lớn.
-
Các thiết bị điện tử công nghiệp yêu cầu độ bền cao và công suất lớn.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.