GIỚI THIỆU CHUNG 9561GI
“9561GI” thường là mã của một transistor MOSFET kênh P (P-Channel Power MOSFET). Dựa trên datasheet của các sản phẩm tương tự như AP9561GI từ Advanced Power Electronics Corp., đây là một giới thiệu chung:
Đặc điểm chính (dựa trên AP9561GI):
- Phân cực: Kênh P
- Điện áp Drain-Source tối đa (VDS): -40V
- Điện áp Gate-Source tối đa (VGS): ±20V
- Dòng điện Drain liên tục (ID): Thường là -23A ở nhiệt độ vỏ Tc = 25°C
- Dòng điện Drain xung (IDM): Lên đến -140A
- Công suất tiêu tán tối đa (PD): Thường là 40W ở nhiệt độ vỏ Tc = 25°C
- Điện trở dẫn Drain-Source khi bật (RDS(on)): Thấp, thường là 0.020 Ω ở VGS = -10V
- Đặc tính chuyển mạch nhanh
- Yêu cầu điều khiển đơn giản
- Kiểu chân: TO-220CFM(I)
SƠ ĐỒ CHÂN 9561GI
NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MOSFET KÊNH P (Tổng Quan)
- Điều khiển dòng điện giữa Drain (D) và Source (S) bằng điện áp đặt vào Gate (G).
- Điện áp Gate tạo ra điện trường, hình thành hoặc triệt tiêu kênh dẫn điện trong chất bán dẫn.
- MOSFET kênh P:
- Khi điện áp Gate-Source () dương hơn điện áp ngưỡng (), MOSFET ở trạng thái tắt, dòng điện .
- Khi âm hơn , kênh dẫn P được tạo ra, cho phép dòng điện chạy từ Source sang Drain.
- Dòng điện tăng theo độ âm của so với và điện áp Drain-Source ().
THÔNG SỐ KĨ THUẬT 9561GI:
CHỨC NĂNG CỦA 9561GI MOSFET KÊNH P -40V -23A
- Chuyển mạch (Switching):
- Đóng/mở mạch điện nhanh chóng cho dòng điện lên đến -23A và điện áp -40V.
- Thích hợp cho các ứng dụng chuyển mạch tải.
- Điều khiển (Control):
- Điều chỉnh dòng điện hoặc điện áp bằng cách thay đổi điện áp Gate.
- Khuếch đại (Amplification):
- Khuếch đại tín hiệu điện áp hoặc dòng điện trong các mạch khuếch đại công suất (ít phổ biến hơn so với MOSFET kênh N trong nhiều ứng dụng).
ỨNG DỤNG THỰC TẾ CỦA 9561GI MOSFET KÊNH P -40V -23A TO-220CFM(I)
- Chuyển mạch tải phía cao (High-side switching).
- Quản lý năng lượng trong bộ chuyển đổi DC-DC.
- Bộ điều chỉnh tuyến tính.
- Bảo vệ ngược cực pin.
- Các ứng dụng chuyển mạch công suất thấp đến trung bình.
LƯU Ý KHI SỬ DỤNG 9561GI MOSFET KÊNH P -40V -23A TO-220CFM(I)
- Tham khảo Datasheet:
- Luôn tìm và đọc kỹ datasheet của nhà sản xuất (ví dụ: Advanced Power Electronics Corp.) để có thông số kỹ thuật chính xác và đầy đủ.
- Cẩn thận với tĩnh điện (ESD):
- MOSFET rất nhạy cảm với tĩnh điện, cần sử dụng các biện pháp bảo vệ khi thao tác.
- Điều khiển Gate:
- Sử dụng mạch điều khiển Gate phù hợp để đảm bảo tốc độ chuyển mạch tối ưu và tránh quá áp hoặc thiếu áp. Lưu ý đến điện áp ngưỡng Gate () âm đối với MOSFET kênh P.
- Tản nhiệt:
- Gắn MOSFET vào tản nhiệt phù hợp với công suất tiêu thụ và dòng điện hoạt động để tránh quá nhiệt. Kiểu chân TO-220CFM(I) cần được lắp đặt cẩn thận để đảm bảo tiếp xúc nhiệt tốt.
- Không vượt quá định mức:
- Tuân thủ nghiêm ngặt các thông số điện áp và dòng điện tối đa được chỉ định trong datasheet.
- Điện áp điều khiển Gate:
- Sử dụng điện áp Gate nằm trong phạm vi quy định (thường cần điện áp âm so với Source để bật MOSFET kênh P).
- Bảo vệ mạch:
- Sử dụng các biện pháp bảo vệ quá dòng, quá áp để bảo vệ MOSFET và các linh kiện khác trong mạch.
- Lưu ý về Diode nội tại:
- MOSFET này có diode nội tại giữa Source và Drain. Cần xem xét các đặc tính của diode này nếu nó được sử dụng trong các ứng dụng có diode hoạt động.
- Chuyển mạch phía cao:
- MOSFET kênh P thường được sử dụng cho chuyển mạch phía cao, nơi Gate được kéo xuống thấp hơn Source để bật MOSFET. Cần thiết kế mạch điều khiển Gate phù hợp cho cấu hình này.
- Tối ưu hóa chuyển mạch:
- Thiết kế mạch để giảm thiểu tổn thất chuyển mạch, đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng tần số cao.
KÍCH THƯỚC 9561GI
Xem thêm các Mosfet khác tại đây
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.