Giới thiệu chung IXFX230N20T
IXFX230N20T là một transistor công suất loại MOSFET kênh N, thuộc dòng sản phẩm GigaMOS của IXYS (nay là một phần của Littelfuse). Thiết bị này được thiết kế để xử lý dòng điện lớn và điện áp cao, phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu hiệu suất chuyển mạch nhanh và độ tin cậy cao. Với cấu trúc công nghệ trench gate tiên tiến, IXFX230N20T mang lại khả năng dẫn điện hiệu quả và tổn hao thấp.

Đặc điểm nổi bật của IXFX230N20T
-
Công nghệ trench gate giúp giảm điện trở dẫn (R<sub>DS(on)</sub>) và tăng mật độ dòng điện.
-
Dòng điện dẫn liên tục lên đến 230A, phù hợp cho các ứng dụng công suất lớn.
-
Điện áp đánh thủng giữa drain-source (V<sub>DSS</sub>) đạt 200V, đảm bảo hoạt động an toàn trong các hệ thống điện áp cao.
-
Điện trở dẫn thấp, chỉ 7.5 mΩ, giảm tổn hao năng lượng và nhiệt độ hoạt động.
-
Thời gian chuyển mạch nhanh với thời gian bật (t<sub>d(on)</sub>) khoảng 41ns và thời gian tắt (t<sub>d(off)</sub>) khoảng 104ns, nâng cao hiệu suất trong các ứng dụng chuyển mạch nhanh.
-
Khả năng chịu nhiệt độ hoạt động rộng từ -55°C đến +175°C, thích hợp cho môi trường khắc nghiệt.
-
Đóng gói theo chuẩn PLUS247™, thuận tiện cho việc lắp đặt và tản nhiệt hiệu quả.
Ứng dụng của IXFX230N20T
-
Bộ chỉnh lưu đồng bộ trong các bộ nguồn chuyển mạch.
-
Bộ biến đổi DC-DC và bộ sạc pin công suất cao.
-
Hệ thống cung cấp điện liên tục (UPS) và nguồn điện dự phòng.
-
Bộ điều khiển động cơ AC và DC trong công nghiệp.
-
Các ứng dụng chuyển mạch công suất cao yêu cầu tốc độ và hiệu suất cao.
Thông số kỹ thuật của IXFX230N20T

Cấu tạo IXFX230N20T

Sơ đồ chân IXFX230N20T

Kích thước IXFX230N20T

Xem thêm các Mosfet khác tại đây
Datasheet của IXFX230N20T




Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.