IRF3710 Mosfet Kênh-N 57A/100V TO-220 nhập khẩu mới

banlinhkiendientu.com là đơn vị chuyên cung cấp Mosfet IRF3710 với chất lượng tốt và giá cả hợp lý cung cấp số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của mọi khách hàng.

Giới thiệu

Sử dụng MOSFET công suất HEXFET ® nâng cao từ Bộ chỉnh lưu quốc tế kỹ thuật xử lý tiên tiến để đạt được điện trở cực thấp trên mỗi diện tích silicon. Lợi ích này, kết hợp với tốc độ chuyển đổi nhanh và thiết kế thiết bị chắc chắn mà MOSFET công suất HEXFE được nhiều người biết đến cung cấp cho người thiết kế một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau.

Gói TO-220 được ưu tiên phổ biến cho tất cả các doanh nghiệp thương mại-công nghiệp các ứng dụng ở mức tiêu tán năng lượng đến khoảng 50 watt. Mức thấp khả năng chịu nhiệt và chi phí trọn gói thấp của TO-220 góp phần mở rộng phạm vi hoạt động của nó được chấp nhận trong toàn ngành.

Mô tả

• Chỉ định loại: IRF3710
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 200 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 100 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
• Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 4 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 57 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 175 °C
• Tổng phí cổng (Qg): 130 (tối đa) nC
• Thời gian tăng (tr): 58 nS
• Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 410 pF
• Điện trở trạng thái nguồn thoát tối đa (Rds): 0,023 Ohm
• Đóng gói: TO220AB

Xem thêm: Các sản phẩm Mosfet khác

Hình ảnh sản phẩm

Thông số kỹ thuật của Mosfet IRF3710

Sơ đồ chân

Kích thước của Mosfet IRF3710

Datasheet IRF3710