GP47S60X Mosfet kênh N 600V 47A TO-247 tháo máy

Giới thiệu chung GP47S60X

GP47S60X là một transistor MOSFET kênh N được thiết kế để hoạt động ở điện áp cao lên đến 600V và dòng tải lớn đến 47A. Đây là một linh kiện lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu chuyển mạch nhanh, tổn hao thấp và hiệu suất cao. Được đóng gói trong chuẩn TO-247, thiết bị này có khả năng tản nhiệt tốt, phù hợp với các hệ thống công suất lớn như bộ biến tần, bộ nguồn chuyển mạch, bộ điều khiển động cơ và các ứng dụng năng lượng tái tạo.

Đặc điểm nổi bật của GP47S60X 

• MOSFET kênh N hiệu suất cao, chuyển mạch nhanh

• Khả năng chịu điện áp drain-source đến 600V

• Dòng dẫn liên tục lớn, lên đến 47A

• Tổn hao dẫn thấp nhờ điện trở kênh nhỏ (Rds(on) thấp)

• Thiết kế với gói TO-247 giúp tản nhiệt hiệu quả

• Độ bền điện cao, phù hợp với các môi trường khắt khe về nhiệt độ và điện áp

Ứng dụng GP47S60X 

• Bộ nguồn chuyển mạch (SMPS) công suất cao

• Bộ biến tần (inverter) cho hệ thống điện mặt trời hoặc công nghiệp

• Bộ lưu điện (UPS) và các thiết bị cung cấp nguồn liên tục

• Mạch điều khiển động cơ trong hệ thống tự động hóa

• Các ứng dụng chỉnh lưu có điều khiển và nguồn xung điện áp cao

Thông số kỹ thuật GP47S60X 

• Điện áp drain-source tối đa (Vds): 600V

• Dòng drain liên tục (Id): 47A

• Điện áp gate-source tối đa (Vgs): ±30V

• Điện trở dẫn kênh (Rds(on)): khoảng 0.18 Ohm tại Vgs = 10V

• Công suất tiêu tán tối đa (Pd): khoảng 120W khi có tản nhiệt phù hợp

• Nhiệt độ hoạt động: từ -55°C đến +150°C

• Kiểu đóng gói: TO-247

• 

Sơ đồ chân GP47S60X

Kích thước của GP47S60X

Xem thêm các mosfet khác tại đây

Datasheet của GP47S60X